2026-06-23
中国中车——IGBT、SiC器件
IGBT芯片及模块产品覆盖600V-6500V全电压等级IGBT,
具有高电流密度、低开关损耗、高短路功能、低导通压降、软关断特性、裕量大等特点;
SiC功率器件产品覆盖750V-6500V SiC SBD和SiC MOSFET
具有高电流密度、低开关损耗、高短路功能、低导通压降、软关断特性、裕量大等特点;
SiC功率器件产品覆盖750V-6500V SiC SBD和SiC MOSFET
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