• iC-LFH 技术资料更新,详情请见规格书
  • Diotec在一个扁平的SMAF封装中引入了新的600W瞬态电压抑制器TPSMA6L,封装高度只有1.3毫米。在10/1000μs脉冲形式下,其峰值脉冲功率为600W。反向隔离电压为5.0V~85V。TPSMA6LXXX封装相对SMB封装来讲,绝对是个低成本解决方案产品,该型号的峰值脉冲功率与SMB P6SMBJXXX系列TVS管是相同的,SMAF会比SMB薄,同时比SMA封装的引脚尺寸减少33%,与SMA/SMB封装相比,本体的高度减少45%。此产品具有超高性价比,且交期短。 主要应用及特征:高功率尺寸与外形较小,可以节省PCB layout空间与SMA封装的焊盘兼容主要用过于过压保护ESD保护续流二极管
  • DIT100N10 TO-220AB封装,是一种N型功率MOSFE,典型RDS(on)为9.9mOhm,直流漏极电流为100A,最大漏源电压为100V。 非常适合应用于DC/DC转换器、DC驱动器和电动工具,因为它们具有非常低的通态电阻和高速的响应时间。该MOSFET管具备有极高可靠安全的反向防雪崩能量特性。
  • 磁编码器iC提供线性和旋转磁编码和信号处理。差分传感帮助补偿位置对齐和磁场误差影响。此芯片带集成霍尔传感器,适合大范围应用,例如模拟输出编码器,数字插补细分输出编码器,增量式或绝对式编码器,低耗应用,单圈和多圈方案。iC-MU 磁性离轴绝对式位置编码器芯片-- 磁极宽度 1.28 mmiC-MU150 磁性离轴绝对式位置编码器芯片 - 磁极宽度 1.50 mm iC-MU200 磁性离轴绝对式位置编码器芯片 - 磁极宽度 2.00 mm - (新) 技术资料更新,详细参数请参考名系列规格书