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无源器件 | 晶振
晶体谐振器

 c_NX1610SA_e.pdf

NX1610SA

超小型、薄型、量轻的表面贴片音叉型晶体谐振器。

超小薄型。(1.6×1.0×0.45mm)。

在消费类电子、移动通信用途发挥优良的电气特性。

表面贴片型产品。(可对应回流焊)

满足无铅焊接的回流温度曲线要求。


 c_NX2012SA-STD-MUB-1_e.pdf

NX2012SA

小型、薄型、量轻的表面贴片音叉型晶体谐振器。

小型,薄型(2.0×1.2×0.55mm)。

金属外壳的使用使得产品在封装时能发挥比陶瓷外壳更好的耐冲击性。

在消费类电子、移动通信用途发挥优良的电气特性。

表面贴片型产品。(可对应回流焊)

满足无铅焊接的回流温度曲线要求。


 c_NX3215SA-STD-MUA-14_e.pdf

NX3215SA

小型,薄型、量轻的表面封装音叉型晶体谐振器。

具备优良的耐热性、耐环境特性。

符合无铅标准,满足无铅焊接的回流温度曲线要求。

金属外壳的使用使得产品在封装时能发挥比陶瓷外壳更好的耐冲击性。


 c_NX1612SB_e.pdf

NX1612SB

为晶体谐振器与热敏电阻的一体化构造。

由于与晶体谐振器的一体化,对于回路设计来说实现了空间的节省。
(以往晶体谐振器与温度传感器分别贴装在同一线路板上)

在同一气密室内(即晶振体内)内置水晶片与温度传感器(热敏电阻),更能检出与水晶片相近的温度。
由此,相比以往的晶体谐振器,可以改善其频率温度补正。

超小型:12539;低高度(1612尺寸、高度0.45mm、max)

表面贴片型产品。(可对应回流焊)

满足无铅焊接的回流温度曲线要求。


 c_NX2016SF-STD-CTZ-1_e.pdf

NX2016SF

为晶体谐振器与热敏电阻的一体化构造。

由于与晶体谐振器的一体化,对于回路设计来说实现了空间的节省。(以往晶体谐振器与温度传感器分别贴装在同一线路板上)

在同一气密室内(即晶振体内)内置水晶片与温度传感器(热敏电阻),更能检出与水晶片相近的温度。由此,相比以往的晶体谐振器,可以改善其频率温度补正。

小型低高度(2016尺寸、高度0.65mm、max)

表面贴片型产品。(可对应回流焊)

满足无铅焊接的回流温度曲线要求。


 c_NX2520SG_e.pdf

 c_NX2520SG-2_e.pdf

NX2520SG

为晶体谐振器与热敏电阻的一体化构造。

由于与晶体谐振器的一体化,对于回路设计来说实现了空间的节省。(以往晶体谐振器与温度传感器分别贴装在同一线路板上)

在同一气密室内(即晶振体内)内置水晶片与温度传感器(热敏电阻),更能检出与水晶片相近的温度。由此,相比以往的晶体谐振器,可以改善其频率温度补正。

该种一体化构造最适用于铸模成型的产品。


 c_NX1210AB_e.pdf

NX1210AB

超小型、薄型的SMD晶体谐振器

超小型、薄型 (Typ(1.2×1.0×0.25mm, H:Max. 0.30mm)。

有高信赖性。

本制品的特性最适用于超小型Wireless LAN、Bluetooth。(短距离无线用途)

表面贴片型产品。(可对应回流焊)

满足无铅焊接的回流温度曲线要求。


 c_NX1612SA_e.pdf

NX1612SA

超小型、薄型的SMD晶体谐振器

最适合用于可穿戴式设备和短距离无线模块等的小型设备。

超小型、薄型 (Typ. 1.6×1.2×0.3mm)

满足无铅焊接的回流温度曲线要求。


 c_NX2016HA_e.pdf

NX2016HA

超小型、薄型(2.0 × 1.6 × 0.70mm)。

是性价比出色的产品

最适用于Tablet、TV、GAME机等用途。

满足无铅焊接的回流温度曲线要求


 c_NX2016SA_e.pdf

NX2016SA

小型薄型晶体谐振器。

超小型、薄型 (2.0×1.6×0.45mm) 。

具有优良的耐环境特性,如耐热性、耐冲击性。

在办公自动化、家电相关电器领域及Bluetooth、Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性。

满足无铅焊接的回流温度曲线要求。


 c_NX2016GB_e.pdf

NX2016GB

具有高强的耐焊锡部裂缝的车载用高信赖,小型表面贴装晶体谐振器。

超小型,薄型。(2.0×1.6 H: Max. 0.8mm)

在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性。

具有耐热、耐振、耐撞击等优良的耐环境特性。

满足无铅焊接的回流温度曲线要求。

符合AEC-Q200标准。


 c_NX2520SA_e.pdf

NX2520SA

最适用于Bluetooth、Wi-Fi等的短距离无线和智能手机、平板电脑等的基准时钟源。

小型、薄型 (2.5×2.0×0.50mm) 。

具有优良的耐环境特性,如耐热性、耐振性

满足无铅焊接的回流温度曲线要求


 c_NX3225SA_e.pdf

 c_NX3225SA-STD-CRS-2_e.pdf

NX3225SA

最适用于Bluetooth、Wi-Fi等的短距离无线和智能手机、平板电脑等的基准时钟源。

小型、薄型 (3.2×2.5×0.55mm typ.) 。

具有优良的耐环境特性,如耐热性、耐振性

满足无铅焊接的回流温度曲线要求


 c_NX3225GA-STD-CRG-2_e.pdf

 c_NX3225GA-STD-CRA-1_e.pdf

NX3225GA

小型表面贴片型晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域。

小型、薄型、量轻 (3.2×2.5×0.75mm typ.)。

具有优良的耐环境特性,如耐热性、耐冲击性。

在办公自动化、家电相关电器领域可发挥优良的电气特性。

满足无铅焊接的回流温度曲线要求。


 c_NX3225HA_e.pdf

NX3225HA

小型,薄型晶体谐振器。

小型、薄型 (3.2×2.5×0.80mm)。

最适用于Tablet、TV、GAME机等用途。

满足无铅焊接的回流温度曲线要求


 c_NX3225GB-STD-CRA-2_e.pdf

NX3225GB

具备高的耐焊接开裂性能的车载用高信赖、小型表面封装晶体谐振器。

小型、薄型。 (3.2×2.5×0.75mm)

在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性。

具有耐热、耐振、耐冲击等优良的耐环境特性。

满足无铅焊接的回流温度曲线要求。

符合AEC-Q200标准。

对应低频(7.98 ~ 12MHz)的NX3225GD也加入了产品线。


 c_NX3225GD-STD-CRA-3_e.pdf

NX3225GD

小型表面贴片型晶体谐振器,最适合用于即使在汽车电子领域中也是特别要求高可靠性的引擎控制用CPU的时钟部分。

低频可从7.98MHz起对应。

小型、薄型。 (3.2 × 2.5mm typ., t1.0mm max.)

具备强防焊裂性。

在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性。

具有耐热、耐振、耐撞击等优良的耐环境特性。

满足无铅焊接的回流温度曲线要求。

符合AEC-Q200标准。


 c_NX3225SC-STD-CRS-1_e.pdf

NX3225SC

最适合TPMS(胎压检测系统)用途,用于受到严酷离心力影响的车胎中的信号发送单元的时钟信号发生源部分。 

小型、薄型 (3.2×2.5×0.6mm)

即使在TPMS的信号发送端受到的严酷的离心力 (2000G)之下也能保持稳定的频率特性。

具备强防焊裂性。

具有耐热、耐振、耐冲击等优良的耐环境特性。

满足无铅焊接的回流温度曲线要求。

符合AEC-Q200标准。


 c_NX5032GA_e.pdf

 c_NX5032GA-STD-CSU-2_e.pdf

NX5032GA

最适用于汽车配件和录像、音响器件的基准时钟源。 

小型、薄型 (5.0×3.2×1.3mm typ.)。

可对应8MHz以上的频率。

具有优良的耐环境特性,如耐热性、耐振性

满足无铅焊接的回流温度曲线要求。


 c_NX5032GB_e.pdf

NX5032GB

小型表面贴片型标准晶体谐振器,适用于办公自动化、家电相关电器领域。

在办公自动化、家电相关电器领域可发挥优良的电气特性。

产品特长:低高度 (高度1.0mm typ.)。

满足无铅焊接的回流温度曲线要求。


 c_NX5032GC-STD-CSK-6_e.pdf

NX5032GC

表面贴片型低高度晶体谐振器,适用于办公自动化、家电相关电器领域。 

小型、薄型 (5.0×3.2×1.0mm typ.)

在办公自动化、家电相关电器领域可发挥优良的电气特性。

满足无铅焊接的回流温度曲线要求。

低高度的特点最适用于笔记本电脑。

玻璃封装,具有与NX5032SA同样形状的4个PIN脚。


 c_NX5032SA-STD-CSG-1_e.pdf

NX5032SA

高精度小型表面贴片型晶体谐振器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域。 

小型、薄型 (4.9×3.1×0.75mm typ.)

具备各类移动通信的基准时钟源用频率。

优良的电气特性、耐环境性能适用于移动通信领域。

满足无铅焊接的回流温度曲线要求。


 c_NX5032SD-STD-CSY-1_e.pdf

NX5032SD

小型表面贴片型晶体谐振器,可对应即使在汽车电子领域也是特殊的TPMS (胎压监测系统)用途。最适合用于受到严酷离心力影响的车胎中的信号发送单元的时钟信号发生源部分。 

即使在TPMS的信号发送端受到的严酷的离心力 (2000G)之下也能保持稳定的频率特性。

具有耐热、耐振、耐撞击、耐热循环等优良的耐环境特性。

满足无铅焊接的回流温度曲线要求。

符合AEC-Q200标准。


 c_NX8045GB_e.pdf

NX8045GB

小型,薄型晶体谐振器。 

小型、薄型 (8.0 × 4.5 × 1.8mm typ.)。

可对应4MHz以上的频率。

最适用于消费类电子和汽车配件用途。

优良的耐环境特性,包括耐热性、耐冲击性等。

满足无铅焊接的回流温度曲线要求


 c_NX8045GE-STD-CJL-6_e.pdf

NX8045GE

被要求高信赖性的车载用小型表面封装晶体谐振器。

可对应低频(4~ 8MHz)。

小型SMD封装 (8.0×4.5×2.0mm)

具有耐热、耐振、耐撞击等优良的耐环境特性。

高的耐焊接开裂性能使其封装在玻璃环氧树脂基板上,可实现3000个热循环。

可对应工作温度范围-40~+150℃。

符合无铅焊接的回流焊曲线特性。


 c_AT-41-STD-LPH-9_e.pdf

AT-41

使用金属封装的具有高稳定性、高可靠性的晶体谐振器。 

使用金属封装,充分的密封可确保其高可靠性。

采用缠带包装,可对应自动贴装。


 c_AT-41-STD-LPH-9_e.pdf

AT-41CD2

使用金属封装的具有高稳定性、高可靠性的晶体谐振器。 

支持表面贴装。

使用金属封装,充分的密封能确保其高可靠性。

采用缠带包装,可对应自动贴装。

满足无铅焊接的回流温度曲线要求。


 c_NR-2C-STD-CMB-4_e.pdf

NR-2C

具有优越的频率稳定度,能覆盖广的频率范围的高可靠性晶体谐振器。 

能满足严格的温度特性规格,具有优越的频率再现性和耐撞击性。


 c_NR-2B-STD-CMB-1_e.pdf

NR-2B

具有优越的频率稳定度,能覆盖广的频率范围的高可靠性晶体谐振器。 

能满足严格的温度特性规格,具有优越的频率再现性和耐撞击性。


TCXO

 c_NT2016SE_w-temp_e.pdf

NT2016SE

可对应±0.5×10-6/-40~+105°C

具有最适合于GPS用途的高稳定的频率温度特性

高度:最高0.8 mm、体积:0.055px3、重量:0.008g,超小型、量轻。

为对应低电源电压的产品。 (可对应 DC +1.7 V to +3.3 V.)

低消耗电流。

表面贴片型产品。(可对应回流焊)

无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。

符合AEC-Q100/200标准。

可根据选择,使产品带有AFC(频率控制)功能。


 c_NT2520SE_w-temp_e.pdf

NT2520SE

可对应±0.5×10-6/-40~+105°C

具有最适合于GPS用途的高稳定的频率温度特性

高度:最高0.9 mm、体积:0.1px3、重量:0.014g,超小型、量轻。

为对应低电源电压的产品。 (可对应 DC +1.7 V to +3.3 V.)

低消耗电流。

表面贴片型产品。(可对应回流焊)

无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。

符合AEC-Q100/200标准。

可根据选择,使产品带有AFC(频率控制)功能。


 c_NT2016SC_e.pdf

NT2016SC

为对应低电源电压的产品。 (可对应 DC +1.7 V to +3.3 V.)

高度:最高0.8 mm、体积:0.0022 cm3、重量:0.008 g,超小型、量轻。

表面贴片型产品。(可对应回流焊)

无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。

带有Enable / Disable功能(Output1、2都带有)

也可选择AFC(频率控制)功能来代替Output2的Enable / Disable功能。


 c_NT2016SB_l-voltage_e.pdf

 c_NT2016SB_GPS_e.pdf

 c_NT2016SB_ED_e.pdf

NT2016SB

为对应低电源电压的产品。 (可对应 DC +1.1 V to +3.4 V.)

具有最适合于GPS用途的高稳定的频率温度特性

高度:最高0.8 mm、体积:0.055px3、重量:0.008g,超小型、量轻。

带有Enable/Disable(Stand-by)功能。

表面贴片型产品。(可对应回流焊)

无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。


 c_NT2016SD_t-sensor_e.pdf

NT2016SD

为对应低电源电压的产品。 (可对应 DC +1.7 V to +3.3 V.)

高度:最高0.8 mm、体积:0.0022 cm3、重量:0.008 g,超小型、量轻。

表面贴片型产品。(可对应回流焊)

无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。

带有温度感应电压输出功能。(0.95V typ. @+25°C, -8.7mV/(°C) typ.)

带有Enable / Disable(Stand-by)功能。

带有AFC(频率控制)功能。(可选择)


 c_NT2520SC_e.pdf

NT2520SC

可对应CMOS输出。

为对应低电源电压的产品。 (可对应 DC+1.7 V to +3.3 V.)

高度:最高0.9 mm、体积:0.004 cm3、重量:0.014g,小型、量轻。

表面贴片型产品。(可对应回流焊)

带有Enable / Disable(Stand-by)功能。

无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。


 c_NT1612AA_AFC_e.pdf

 c_NT1612AA_AFC_e.pdf

 c_NT1612AA_GPS_e.pdf

NT1612AA

为对应低电源电压的产品。 (可对应 DC+1.7 V to +3.3 V.)

高度:最高0.55 mm、体积:0.0011 cm3、重量:0.004g,超小型、量轻。

表面贴片型产品。(可对应回流焊)

无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。

带有AFC(频率控制)功能。


 c_NT2016SA_AFC_e.pdf

 c_NT2016SA_GPS_e.pdf

 c_NT2016SA_AFC_e.pdf

NT2016SA

为对应低电源电压的产品。 (可对应 DC+1.7 V to +3.3 V.)

高度:最高0.8 mm、体积:0.0022 cm3、重量:0.008g,超小型、量轻。

带有AFC(频率控制)功能。

低消耗电流。

表面贴片型产品。(可对应回流焊)

无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。

 


 c_NT2520SB_AFC_e.pdf

NT2520SB

为对应低电源电压的产品。 (可对应 DC +1.7 V to +3.3 V.)

高度:最高0.9 mm、体积:0.004 cm3、重量:0.014 g,小型、量轻。

带有AFC(频率控制)功能。

低消耗电流。

表面贴片型产品。(可对应回流焊)

无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。


 c_NT3225SA_AFC_e.pdf

 c_NT3225SA_GPS_e.pdf

 c_NT3225SA_e.pdf

NT3225SA

为对应低电源电压的产品。 (可对应 DC+1.7 V to +3.3 V.)

高度:最高1.0 mm、体积:0.007 cm3、重量:0.024 g,小型、量轻。

带有AFC(频率控制)功能。

低消耗电流。

表面贴片型产品。(可对应回流焊)

无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。


 c_NT5032SC_AFC_e.pdf

NT5032SC

为对应低电源电压的产品。(可对应DC+2.4 V±0.1 V to +3.3 V±5 %)

高度:最高1.5 mm、体积:0.022cm3、重量:0.06g,超小型、量轻。

带有AFC(频率控制)功能。

低消耗电流。

表面贴片型产品。(可对应回流焊)

无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。


 c_NT1612AB_GPS_e.pdf

NT1612AB

具有最适合于GPS用途的高稳定的频率温度特性。

为对应低电源电压的产品。 (可对应 DC +1.7 V to +3.3 V.)

高度:最高0.55 mm、体积:0.0011 cm3、重量:0.004g,超小型、量轻。

带有Enable/Disable(Stand-by)功能。

表面贴片型产品。(可对应回流焊)

无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。

 


 c_NT2520SD_GPS_e.pdf

 c_NT2520SD_ED_e.pdf

NT2520SD

具有最适合于GPS用途的高稳定的频率温度特性。

为对应低电源电压的产品。 (可对应 DC +1.7 V to +3.3 V.)

高度:最高0.9 mm、体积:0.004 cm3、重量:0.014g,小型、量轻。

带有Enable/Disable(Stand-by)功能。

低消耗电流。

表面贴片型产品。(可对应回流焊)

无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。

符合AEC-Q100/200标准。


 c_NT7050BB_e.pdf

NT7050BB

最高工作温度 +105°C(温度特性± 0.5×10-6

频率温度特性± 0.07 × 10-6(工作温度范围-10 to +70°C)

低消耗电流 : Max. 6mA

输出电压可选择CMOS或Clipped Sine。

采用小型封装:7.0×5.0×2.0mm


 c_NT7050BC_e.pdf

NT7050BC

带有Enable/Disable(Stand-by)功能。

最高工作温度 +105°C(温度特性± 0.5×10-6

频率温度特性± 0.07 × 10-6(工作温度范围-10 to +70°C)

低消耗电流 : Max. 6mA

输出电压可选择CMOS或Clipped Sine。

采用小型封装:7.0×5.0×2.0mm


SPXO

 c_NP5032S-multi_e.pdf

NP5032S[ ]

频率可覆盖15MHz to 2100MHz间的广泛范围(设定分解能:2×10-9)。

频率选择功能可从Dual、Quad、Any Rate中选择

低抖动特性:Typ. 130fs rms (@622.08MHz)

可对应5种输出方式:CMOS、LVPECL、LVDS、CML、HCSL

为对应低电源电压:+1.8V, +2.5V, +3.3V


 c_NP7050S-multi_e.pdf

NP7050S[ ]

频率可覆盖15MHz to 2100MHz间的广泛范围(设定分解能:2×10-9)。

频率选择功能可从Dual、Quad、Any Rate中选择

低抖动特性:Typ. 130fs rms (@622.08MHz)

可对应5种输出方式:CMOS、LVPECL、LVDS、CML、HCSL

为对应低电源电压:+1.8V, +2.5V, +3.3V


 c_NP3225SA_e.pdf

NP3225SA

尺寸:3.2×2.5×0.9mm

电源电压:+2.5V或+3.3V

LVPECL输出水平

低相位抖动(Typ. 0.15ps @156.25MHz)


 c_NP3225SB_e.pdf

NP3225SB

尺寸:3.2×2.5×0.9mm

电源电压:+2.5V或+3.3V

LVDS输出水平

低相位抖动(Typ. 0.15ps @156.25MHz)


 c_NP3225SC_e.pdf

NP3225SC

尺寸:3.2×2.5×0.9mm

电源电压:+2.5V或+3.3V

HCSL输出水平

低相位抖动(Typ. 0.15ps @156.25MHz)


 c_NP5032SA_e.pdf

NP5032SA

小型:5.0×3.2×1.2mm

电源电压:+2.5V或+3.3V

LVPECL输出水平

低相位抖动(Typ. 0.08ps @148.5MHz)


 c_NP5032SB_e.pdf

NP5032SB

小型:5.0×3.2×1.2mm

电源电压:+2.5V或+3.3V

LVDS输出水平

低相位抖动(Typ. 0.13ps @148.5MHz)


 c_NP5032SC_e.pdf

NP5032SC

小型:5.0×3.2×1.2mm

电源电压:+2.5V或+3.3V

HCSL输出水平

低相位抖动(Typ. 0.12ps @135MHz)


 c_7311S-DF_e.pdf

 c_7311S-DG_e.pdf

 c_7311S-GF_e.pdf

 c_7311S-GG_e.pdf

7311S

低电源电压(+2.5V)

LVDS输出水平

低相位抖动(1ps以下)


VCXO

 c_NV5032S-multi_e.pdf

NV5032S[ ]

频率可覆盖15MHz to 2100MHz间的广泛范围(设定分解能:2×10-9)。

频率选择功能可从Dual、Quad、Any Rate中选择

低抖动特性:Typ. 130fs rms (@622.08MHz)

可对应5种输出方式:CMOS、LVPECL、LVDS、CML、HCSL

为对应低电源电压:+1.8V, +2.5V, +3.3V

可选择频率可变范围 : Min. ±50×10-6~±250×10-6的范围内分9个等级


 c_NV7050S-multi_e.pdf

NV7050S[ ]

频率可覆盖15MHz to 2100MHz间的广泛范围(设定分解能:2×10-9)。

频率选择功能可从Dual、Quad、Any Rate中选择

低抖动特性:Typ. 130fs rms (@622.08MHz)

可对应5种输出方式:CMOS、LVPECL、LVDS、CML、HCSL

为对应低电源电压:+1.8V, +2.5V, +3.3V

可选择频率可变范围 : Min. ±50×10-6~±250×10-6的范围内分9个等级


 c_NV2520SA_NSA3458A_e.pdf

NV2520SA

小型薄型:尺寸2520、高度0.9mm

频率可变范围:±100×10-6以上

工作温度范围:-40 to +85°C

CMOS输出、低消耗电流


 c_NV3225SA_NSA3457A_e.pdf

NV3225SA

小型薄型:尺寸3225、高度0.9mm

频率可变范围:±100×10-6以上

工作温度范围:-40 ~ +85°C

CMOS输出、低消耗电流


 c_NV5032SB_e.pdf

NV5032SB

5.0 × 3.2mm的小型陶瓷封装品。

输出水平:CMOS

可对应频率范围 : 1.25MHz to 62MHz

低消耗电流 : Max. 10mA


 c_NV5032SA_e.pdf

NV5032SA

5.0 × 3.2mm的小型陶瓷封装品。

输出水平:CMOS

可对应频率范围 : 62MHz to 170MHz

低消耗电流 : Max. 35mA


 c_NV5032SC_e.pdf

NV5032SC

5.0 × 3.2mm的小型陶瓷封装品。

低相位噪音 (122.88MHz) : Typ. -127dBc/Hz (@1kHz),   Typ. -156dBc/Hz (@100kHz)

低相位抖动 (122.88MHz) : Typ. 0.13ps (12kHz to 20MHz)

低消耗电流 (122.88MHz) : Typ. 46mA

可对应频率范围 : 1.25MHz to 62MHz

输出水平 : LVPECL

 


 c_NV7050SF_e.pdf

NV7050SF

7.0 × 5.0mm的小型陶瓷封装品。

输出水平:CMOS

可对应频率范围 : 1.25MHz to 62MHz

低消耗电流 : Max. 10mA


 c_NV7050SA_CMOS_e.pdf

 c_NV7050SA_PECL_e.pdf

 c_NV7050SA_NSA3459B_e.pdf

NV7050SA

7.0 × 5.0mm的小型陶瓷封装品。

输出水平:CMOS

可对应频率范围:35MHz to 170MHz

消耗電流:Max. 36mA


 c_NV7050SA_LPN_e.pdf

NV7050SA(低相位噪音)

7.0 × 5.0mm的小型陶瓷封装品。

低相位噪音(122.88MHz):Typ. –127dBc/Hz (@1kHz),   Typ. –156dBc/Hz (@100kHz)

低相位抖动 (122.88MHz) : Typ. 0.13ps (12kHz to 20MHz)

低消耗电流 (122.88MHz):Typ. 46mA

高频率对应 : 100MHz to 200MHz

输出水平:LVPECL


 c_NV7050SA_w-temp_e.pdf

NV7050SA(高温范围)

可对应 -40 ~ +105°C的宽温度范围。

7.0 × 5.0mm的小型陶瓷封装品。

低相位噪音:Typ. –127dBc/Hz (@1kHz),   Typ. –156dBc/Hz (@100kHz)

低相位抖动 : Typ. 0.13ps (12kHz to 20MHz)

低消耗电流 :Typ. 46mA

高频率对应 : 122.88MHz

输出水平:LVPECL


 c_NV11M09YA_NSA3532A_e.pdf

NV11M09YA

频率范围:可对应75MHz到800MHz间的广的频率带。(PECL)

内置基波谐振器。(210MHz以上是递倍型)

低抖动:1ps以内

可选择自主起振 / 自主停振功能

低电源电压:3.3V


 c_NV13M08YM_NSA3530A_e.pdf

NV13M08YM

J插件型的表面贴装振荡器。

频率范围:从10MHz到125MHz(CMOS)

内置基波谐振器。

可选择自主起振 / 自主停振功能

低电源电压:3.3V


 c_NV13M09WK_NSA3528A_e.pdf

NV13M09WK

由玻璃环氧电路板作基座,和金属外壳构成此款SMD振荡器。

频率范围:10 MHz到125MHz(CMOS)

内置基波谐振器。

可选择自主起振 / 自主停振功能

低电源电压:3.3V


 c_NV13M09WK_NSA3528A_e.pdf

NV13M08YK

J插件型的表面贴装振荡器。

频率范围:可对应75MHz到800MHz间的广的频率带。(PECL)

低抖动:1ps以内

内置基波谐振器。(210MHz以上是递倍型)

可选择自主起振 / 自主停振功能

低电源电压:3.3V


 c_NV13M09WN_NSA3529A_e.pdf

NV13M09WN

由玻璃环氧电路板作基座,和金属外壳构成此款SMD振荡器。

频率范围:可对应70MHz到800MHz间的广的频率带。(PECL)

低抖动:1ps以内

内置基波晶体谐振器。(210MHz以上为递倍型)

可选择自主起振 / 自主停振功能

低电源电压:3.3V


 c_NV13M08YN_NSA3512A_e.pdf

NV13M08YN

因为内置晶体谐振器,所以具有优良的频率温度特性。

低相位噪音、低抖动。(Max.50fs)


 c_NV11M09YA_NSA3533A_e.pdf

NV11M09YA

通过外部输入,可选择622.08 MHz和FEC率(前向纠错码率)的频率中的任一个频率。

输出电压:LVPECL

为表面贴装型产品。

符合RoHS指令。


FCXO

 c_NW36M25LA_NSA3437A_e.pdf

NW36M25LA

4输入,是对应SONET/SDH(同步光纤)网络的三级钟模块。

4输入的标准频率可从8kHz~77.76MHz间的9个频率中选择。

依据Telcordia GR-1244-CORE GR-253和ITU-T G.812/G.813。

输入标准频率断开时会自动切换。

支持主/从操作。

3输出:输出频率1可从12.96MHz~77.76MHz间的6个频率中选择,输出频率2、3为8kHz、1.544MHz 或 2.048MHz。


 c_NW34M25WA_NSA3436A_e.pdf

NW34M25WA

两种输入、输出:LVPECL、CMOS

输入标准断开时会自动转入自由振荡模式

锁定时间<1秒


 c_NW19M12WAB_NSA3435A_e.pdf

NW19M12WA

输入频率同时可获得输出频率。

通过VCXO的控制电压监视输出可监控锁定情况。


 c_NW19M12WAB_NSA3435A_e.pdf

NW19M12WB

输入频率同时可获得输出频率。

通过VCXO的控制电压监视输出可监控锁定情况。


高精度晶体振荡器 (OCXO / Twin-OCXO / Twin-DCXO)

 c_NH14M09WA_NSA3540A_e.pdf

NH14M09WA

小型、且具有优良的频率温度特性。

具有优良的老化率。

具有优良的相位噪音特性。

可对应宽温范围。(-40 到 +85°C)


 c_NH14M09TA_NSA3540F_e.pdf

NH14M09TA

小型、且具有优良的频率温度特性。

具有优良的老化率。

具有优良的相位噪音特性。

采用了耐环境性能优良的的气密封止包装

可对应宽温范围。(-40到85°C)


 c_NH20M20LB_NH25M22TA_e.pdf

NH20M20LB

小型、且具有优良的频率温度特性。

具有优良的老化率。

具有优良的相位噪音特性。

采用了耐环境性能优良的的气密封止包装。

可对应宽温范围。(-40到85°C)


 c_NH20M20LB_NH25M22TA_e.pdf

NH25M22TA

小型、且具有优良的频率温度特性。

具有优良的老化率。

具有优良的相位噪音特性。

采用了耐环境性能优良的气密封止包装。

可对应宽温范围。(-40到85°C)


 c_NH37M28LK_e.pdf

NH37M28LK

具有优良的频率温度特性。

可对应宽温范围(–40 to +85°C)。

可实现高精度的保持模式下的频率漂移特性(Typ. 1μs/8h)。

可通过数字控制(I2C Control)进行频率调整。(以往的模拟电压控制方式也可使用)


 c_NH37M28LN_e.pdf

NH37M28LN

低高度、且具有优良的频率温度特性。

可对应宽温范围(–40 to +85°C)。

可通过数字控制(I2C Control)进行频率调整。(以往的模拟电压控制方式也可使用)


 c_NH20M20LC_NSA3604A_e.pdf

NH20M20LC

小型,低高度。

具有优良的起动特性。

具有优良的相位噪音特性。(38.88MHz : -145dBc/Hz at 1kHz)


 c_NH25M22WH_NSA3628A_e.pdf

NH25M22WH

具有优良的频率温度特性。 (Max.±3×10-9)

具有优良的老化率。 (Max.±30×10-9/year)

具有优良的相位噪音特性。 (10MHz:在1Hz为-100dBc/Hz)

 


 c_NH25M22WG_e.pdf

NH25M22WG

低高度、低电压型

低电耗。 (Max. 1W at +25℃)

从起振到平稳输出波形的时间很短。

具有优良的老化率。 (Max.±30×10-9/year)

具有优良的相位噪音特性。 (10MHz:在1Hz为-100dBc/Hz)


 NH25M25TE.pdf

NH25M25TE

可对应宽温范围。 (-40到+85°C)

具有优良的老化率。 (Max.±30×10-9/year)

具有优良的相位噪音特性。 (10MHz:在1Hz为-100dBc/Hz)

采用了耐环境性能优良的的气密封止包装。


 c_NH26M26LC_NSA3539A_e.pdf

NH26M26LC

小型,低高度。

具有优良的起动特性。

具有优良的相位噪音特性。(10MHz : -151dBc/Hz at 1kHz)

具有优良的老化率。(±50×10-9/year)


 c_NT14M09TA_NSA3543A_e.pdf

NT14M09TA

低消费电流(Max. 35mA),且实现了±50×10-9/-40~85°C的优良的温度特性

具有优良的老化率。

具有优良的相位噪音特性。

采用了耐环境性能优良的气密封止包装

采用了与OCXO同尺寸的底座模式


钟用晶体振荡器

 c_NZ2016SH_e.pdf

NZ2016SH

可对应 -40~+125℃的宽温范围。

尺寸2.0×1.6mm、高度0.7mm、重量0.01g,超小型、量轻。

可对应同样尺寸的晶体谐振器难以实现的低频(从1.5MHz起)。

缠带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)。

为无铅产品。

符合AEC-Q200标准。


 c_NZ2520SH_e.pdf

NZ2520SH

可对应 -40~+125℃的宽温范围。

尺寸2.5×2.0mm、高度0.9mm、重量0.02g,小型、量轻。

可对应同样尺寸的晶体谐振器难以实现的低频(从1.5MHz起)。

缠带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)。

为无铅产品。

符合AEC-Q200标准。


 c_NZ3225SH_e.pdf

NZ3225SH

可对应 -40~+125℃的宽温范围。

尺寸3.2×2.5mm、高度0.9mm、重量0.02g,小型、量轻。

可对应同样尺寸的晶体谐振器难以实现的低频(从1.5MHz起)。

缠带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)。

为无铅产品。


 c_NZ2016SH_e.pdf

 c_NZ2016SH(32k)_e.pdf

NZ2016SH(32.768kHz)

可对应 -40 ~ +125°C的宽温范围。

尺寸2.0×1.6mm、高度0.7mm、重量0.01g,超小型、量轻。

起振时间可短于音叉型晶体谐振器(Typ. 1ms)。

符合AEC-Q200标准。


 c_NZ2520SH(32k)_e.pdf

NZ2520SH(32.768kHz)

可对应 -40~+125℃的宽温范围。

尺寸2.5×2.0mm、高度0.9mm、重量0.02g,小型、量轻。

起振时间可短于音叉型晶体谐振器(Typ. 1ms)。

符合AEC-Q200标准。


 c_NZ3225SH(32k)_e.pdf

NZ3225SH(32.768kHz)

尺寸3.2×2.5mm、高度0.9mm、重量0.02g,小型、量轻。

起振时间可短于音叉型晶体谐振器(Typ. 1ms)。


 c_NZ2520SHA_e.pdf

NZ2520SHA

适合于安全类车载用途的高品质、高信赖性设计。

符合AEC-Q100/Q200标准。

可对应 -40~+125℃的宽温范围。

尺寸2.5×2.0mm、高度0.9mm、重量0.02g,小型、量轻。

缠带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)。

为无铅产品。

可对应CMOS输出


 c_NZ2016SD_e.pdf

NZ2016SD

实现了最适合高音质音响的低相位噪音。

相位噪音 Fout ± 1kHz : Typ. -146dBc/Hz@ +3.3V、+25℃、Fout=26MHz
     Fout ± 100kHz: Typ. -157dBc/Hz@ +3.3V、+25℃、Fout=26MHz

超小型、量轻:尺寸2.0×1.6mm、高度0.7mm、重量0.01g

频率可覆盖1.5MHz to 60MHz间的广泛范围。

缠带包装方式可对应自动搭载及红外线回流焊接(无铅对应)。

为无铅产品。


 NZ2520SD.jpg

NZ2520SD

实现了最适合高音质音响的低相位噪音。

小型、量轻:尺寸2.5×2.0mm、高度0.9mm、重量0.02g

频率可覆盖1.5MHz to 80MHz间的广泛范围。

缠带包装方式可对应自动搭载及红外线回流焊接(无铅对应)。

为无铅产品。


 c_NZ3225SD_e.pdf

NZ3225SD

实现了最适合高音质音响的低相位噪音。

小型、量轻:尺寸3.2×2.5mm、高度0.9mm、重量0.02g

频率可覆盖1.5MHz to 80MHz间的广泛范围。

缠带包装方式可对应自动搭载及红外线回流焊接(无铅对应)。

为无铅产品。


 c_NZ2520SEA_e.pdf

NZ2520SEA

具备简单的温度补偿功能的高精度钟用晶体振荡器。

可以做到-40~+85℃下±15×10-6以内的综合频率偏差。
在具备简单温度补偿功能的同时,可对应CMOS输出。
并且为了防止无线通信用途的无线频率的干扰,对高次谐波进行了抑制。

 

工作温度范围-40~+85℃下,综合频率允许偏差为±15×10-6

抑制高次谐波。(比通常-17dBm@输出40MHz、+2.8V、2.4GHz带)

外形尺寸是2.5×2.0×0.9mm。


 c_NZ2016SF_e.pdf

NZ2016SF

可驱动最适合于移动设备的超低电压(最低0.8V)。

尺寸2.0×1.6mm、高度0.7mm、重量0.01g,超小型、量轻。

频率可覆盖1.5MHz to 50MHz间的广泛范围。

缠带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)。

为无铅产品。


 c_NZ2520SF_e.pdf

NZ2520SF

可驱动最适合于移动设备的超低电压(最低0.8V)。

尺寸2.5×2.0mm、高度0.9mm、重量0.02g,小型、量轻。

频率可覆盖1.5MHz to 50MHz间的广泛范围。

缠带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)。

为无铅产品。


 c_NZ3225SF_e.pdf

NZ3225SF

可驱动最适合于移动设备的超低电压(最低0.8V)。

尺寸3.2×2.5mm、高度0.9mm、重量0.02g,小型、量轻。

缠带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)。

为无铅产品。


 c_NZ2016SJ_e.pdf

NZ2016SJ

小型、量轻:尺寸2.0×1.6mm、高度0.7mm、重量0.01g

低消费电流 (Max 0.70mA, @40MHz, +1.8V, No-load)。

为无铅产品。


 c_NZ2520SJ_e.pdf

NZ2520SJ

小型、量轻:尺寸2.5×2.0mm、高度0.9mm、重量0.02g

低消费电流 (Max 0.70mA, @40MHz, +1.8V, No-load)。

为无铅产品。


 c_NZ3225SJ_e.pdf

NZ3225SJ

小型、量轻:尺寸3.2×2.5mm、高度0.9mm、重量0.02g

低消费电流 (Max 0.70mA, @40MHz, +1.8V, No-load)。

为无铅产品。

    

 c_2725N-1_e.pdf

2725N

是综合频率允许偏差为 ±100×10-6 的产品。 

可直接驱动CMOS 集成电路。

已实现与薄型IC(TSSOP封装、TVSOP封装)同样的1mm厚度。

断开时的消费电流是15 μA以下。(为40MHz以下)

缠带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)


 c_2735N-1_e.pdf

2735N

是综合频率允许偏差为 ±100×10-6 的产品。 

可直接驱动TTL集成电路。

已实现与薄型IC(TSSOP封装、TVSOP封装)同样的1mm厚度。

可对应频率范围:2.5 ~ 70MHz

断开时的消费电流是15 μA以下。(为40MHz以下)

缠带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)。


 c_2725T-1_e.pdf

2725T

是综合频率允许偏差为 ±100×10-6 、可驱动3.3V的产品。 

可对应频率范围:2.5 ~ 125MHz

缠带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)。

为无铅产品。

尺寸5.0×3.2mm、高度1.0mm、重量0.06g,超小型、量轻。


 c_2725Q-1_e.pdf

2725Q

是综合频率允许偏差为 ±50×10-6 、可驱动2.5V的产品。 

可驱动2.5V电源电压的低电耗型。

缠带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)。

为无铅产品。

尺寸5.0×3.2mm、高度1.0mm、重量0.06g,超小型、量轻。


 c_2725Z-1_e.pdf

2725Z

是综合频率允许偏差为 ±100×10-6 的产品。 

可驱动1.8V电源电压的低电耗型。

断开时的消费电流为3μA以下。

缠带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)。

为无铅产品。

尺寸5.0×3.2mm、高度1.0mm、重量0.06g,超小型、量轻。


晶体滤波器

 c_NM7050SA_MN15-358_e 21E7.5AD.pdf

21E7.5AD

 

可对应表面贴装的晶体滤波器。
使用陶瓷基座,尺寸为 7×5×1.35 mm。
可对应广的频率范围。

 

可对应IR回流VPS(关于温度曲线图,请另商谈。)

可对应表面贴装(为编带捆包)。

具有优良的耐热性和耐冲击性。

具有优良的保证衰减量。

频率范围 基波: 20 ~ 90 MHz, 谐波: 60 ~ 150 MHz

也可生产3个极点的单片晶体滤波器(MCF)。


 c_NM7050SA_MN15-358_e.pdf

90E9A

可对应表面贴装的晶体滤波器。

使用陶瓷基座,尺寸为 7×5×1.35 mm。
可对应广的频率范围。

 

可对应IR回流VPS(关于温度曲线图,请另商谈。)

可对应表面贴装(为编带捆包)。

具有优良的耐热性和耐冲击性。

具有优良的保证衰减量。

频率范围 基波: 20 ~ 90 MHz, 谐波: 60 ~ 150 MHz

也可生产3个极点的单片晶体滤波器(MCF)。


 c_NM7050SA_e.pdf

21E15AB

可对应表面贴装的晶体滤波器。
使用陶瓷基座,尺寸为 7×5×1.35 mm。
可对应广的频率范围。

可对应IR回流・VPS。(关于温度曲线图,请另商谈。)

可对应表面贴装(为编带捆包)。

具有优良的耐热性和耐冲击性。

频率范围 基波: 20 ~ 90 MHz, 谐波: 60 ~ 150 MHz

也可生产3个极点的SMD型MCF


21E30AD

21E7.5A

21E15AA

 MjAxNi0xMi0wNiAxMDozMDo1MS4yNTAwMDA3Nzk5Mw==.pdf

21E30AF

45E7.5AB

45E15A

45E30AN

45SC7.5BG

45SC15BE

45SC20BB

45SC30BD

70SC20BA

90SC15B
石英晶振

 sc-32s.pdf

SC-32S

特点:

  • 厚度为0.75mm的超薄型产品

  • 适用于高密度安装的SMD型产品

  • 优良的耐冲击性、耐热性

  • 完全无铅化

  • 内置了高信赖性、经过光刻技术加工的石英晶振

 

应用:

  • 手机

  • 平板电脑

  • 数码相机

  • 车载音响,GPS模块,FM调谐器模块

  • 移动设备

  • 各种微机的预备时钟等


 SC-20S.pdf

SC-20S

特点:

  • 厚度为0.6mm的超薄型产品

  • 适用于高密度安装的SMD型产品

  • 优良的耐冲击性、耐热性

  • 完全无铅化

  • 内置了高信赖性、经过光刻技术加工的石英晶振


应用:

  • 手机

  • 无线市话手机(PHS)

  • 平板电脑

  • 数码相机

  • 车载音响,GPS模块,FM调谐器模块

  • 移动设备


 ssp-t7.pdf

SSP-T7-F

低频率SMD石英晶振

特点:

  • 厚度为1.4mm的超薄型产品

  • 适用于高密度安装的SMD型产品

  • 内置了高信赖性、经过光刻技术加工的圆柱型石英晶振

  • 优良的耐冲击性、耐热性

  • 符合RoHS指令产品

 

应用:

  • 手机无线市话手机(PHS)

  • 平板电脑,数码相机

  • 车载音响,GPS模块,FM调谐器模块

  • ZigBee

  • 各种微机的预备时钟

  • 移动设备等移动设备

  • 各种微机的预备时钟等


 SC-16S.pdf

SC-16S

特点:

  • 厚度为0.5mm的超薄型产品

  • 适用于高密度安装的SMD型产品

  • 陶瓷封装经过光刻技术加工的石英晶振,具备高可靠性

  • 优良的耐冲击性、耐热性

  • 完全无铅

  • 符合RoHS指令产品


 SC-20T.pdf

SC-20T

特点:

  • 厚度为0.5mm的超薄型产品

  • 适用于高密度安装的SMD型产品

  • 陶瓷封装经过光刻技术加工的石英晶振,具备高可靠性

  • 优良的耐冲击性、耐热性

  • 完全无铅

  • 符合RoHS指令产品


 SC-32T_.pdf

SC-32T

特点:

  • 厚度为0.6mm的超薄型产品

  • 适用于高密度安装的SMD型产品

  • 陶瓷封装经过光刻技术加工的石英晶振,具备高可靠性

  • 优良的耐冲击性、耐热性

  • 完全无铅

  • 符合RoHS指令产品


 SC-32A.pdf

SC-32A

特点:

  • 符合“AEC-Q200”标准

  • 厚度为0.75mm±0.1

  • 适用于高密度安装的SMD型产品

  • 陶瓷封装经过光刻技术加工的石英晶振,具备高可靠性

  • 优良的耐冲击性、耐热性

  • 完全无铅

  • 符合RoHS指令产品


 SC-32P.pdf

SC-32P

特点:

  • 产品适用于Intel 8系列(R1=50K ohm max)

  • 适用于高密度安装的SMD型产品

  • 陶瓷封装经过光刻技术加工的石英晶振,具备高可靠性

  • 优良的耐冲击性、耐热性

  • 完全无铅

  • 符合RoHS指令产品


 SSP-T7-FL.pdf

SSP-T7-FL

特点:

  • 与普通用的石英晶振(负载容量12.5pF)产品相比,可将待机时的消耗电力削减到原有的1/10。

  • 优良的驱动特性

  • 符合RoHS指令产品


 VT-200-FL.pdf

VT-200-FL

低消耗电力微控制器用低CL晶振

特点:

  • 与普通用的石英晶振(负载容量12.5pF)产品相比,可将待 机时的消耗电力削减到原有的1/10。

  • 优良的驱动特性

  • 符合RoHS指令产品

  • 完全无铅化


 VT-200-F.pdf

VT-200-F

低频率石英晶振

特点:

  • 小型圆柱封装

  • 光刻技术加工

  • 优良的耐冲击性、耐热性

  • 符合RoHS指令产品

  • 完全无铅化


 VT-150-F.pdf

VT-150-F

低频率石英晶振

特点:

  • 小型圆柱封装

  • 光刻技术加工

  • 优良的耐冲击性、耐热性

  • 符合RoHS指令产品

  • 完全无铅化



 VT-120-F.pdf

VT-120-F

低頻率石英晶振

特點:

  • 小型1.2 f 圆柱封装

  • 光刻技术加工

  • 优良的耐冲击性、耐热性

  • 符合RoHS指令产品

  • 完全无铅化