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存儲器 | 普通用途串行(EEPROM)
S-93C46C

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S-93C46C

3線串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C

描述:

  • 本IC是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行EEPROM。容量分別為1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位,構成分別 為64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以連續讀出,這時的地址會按每16位自 動地增量。通訊方式為Microwire方式。


特點:

  • 存儲器容量

    S-93C46C : 1 K位 (64字 ×16位)

    S-93C56C : 2 K位 (128字 ×16位)

    S-93C66C : 4 K位 (256字 ×16位)

    S-93C76C : 8 K位 (512字 ×16位) (開發中)

    S-93C86C : 16 K位 (1024字 ×16位) (開發中)

  • 工作電壓範圍

    讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

    寫入時 : 1.8 V ~ 5.5 V

  • 工作頻率:2.0 MHz (最大值)

  • 寫入時間:4.0 ms (最大值)

  • 順序讀出功能

  • 電源電壓低時禁止寫入功能

  • 指令誤識別的防止寫入功能

  • 重寫次數:106 次 / 字(Ta = +85°C)

  • 數據保存期

    100年 (Ta = +25°C)

    50年 (Ta = +85°C)

  • 首次出廠時數據:FFFFh

  • 工作溫度範圍:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 無鉛 (Sn 100%)、無鹵素

S-93C56C

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S-93C56C

3線串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C

描述:

  • 本IC是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行EEPROM。容量分別為1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位,構成分別 為64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以連續讀出,這時的地址會按每16位自 動地增量。通訊方式為Microwire方式。


特點:

  • 存儲器容量

    S-93C46C : 1 K位 (64字 ×16位)

    S-93C56C : 2 K位 (128字 ×16位)

    S-93C66C : 4 K位 (256字 ×16位)

    S-93C76C : 8 K位 (512字 ×16位) (開發中)

    S-93C86C : 16 K位 (1024字 ×16位) (開發中)

  • 工作電壓範圍

    讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

    寫入時 : 1.8 V ~ 5.5 V

  • 工作頻率:2.0 MHz (最大值)

  • 寫入時間:4.0 ms (最大值)

  • 順序讀出功能

  • 電源電壓低時禁止寫入功能

  • 指令誤識別的防止寫入功能

  • 重寫次數:106 次 / 字(Ta = +85°C)

  • 數據保存期

    100年 (Ta = +25°C)

    50年 (Ta = +85°C)

  • 首次出廠時數據:FFFFh

  • 工作溫度範圍:Ta = −40°C ~ +85°C

  • 無鉛 (Sn 100%)、無鹵素

S-93C66C

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S-93C66C

3線串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C

描述:

  • 本IC是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行EEPROM。容量分別為1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位,構成分別 為64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以連續讀出,這時的地址會按每16位自 動地增量。通訊方式為Microwire方式。


特點:

  • 存儲器容量

    S-93C46C : 1 K位 (64字 ×16位)

    S-93C56C : 2 K位 (128字 ×16位)

    S-93C66C : 4 K位 (256字 ×16位)

    S-93C76C : 8 K位 (512字 ×16位) (開發中)

    S-93C86C : 16 K位 (1024字 ×16位) (開發中)

  • 工作電壓範圍

    讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

    寫入時 : 1.8 V ~ 5.5 V

  • 工作頻率:2.0 MHz (最大值)

  • 寫入時間:4.0 ms (最大值)

  • 順序讀出功能

  • 電源電壓低時禁止寫入功能

  • 指令誤識別的防止寫入功能

  • 重寫次數:106 次 / 字(Ta = +85°C)

  • 數據保存期

    100年 (Ta = +25°C)

    50年 (Ta = +85°C)

  • 首次出廠時數據:FFFFh

  • 工作溫度範圍:Ta = −40°C ~ +85°C

  • 無鉛 (Sn 100%)、無鹵素

S-93C76C

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S-93C76C

3線串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C

描述:

  • 本IC是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行EEPROM。容量分別為1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位,構成分別 為64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以連續讀出,這時的地址會按每16位自 動地增量。通訊方式為Microwire方式。


特點:

  • 存儲器容量

    S-93C46C : 1 K位 (64字 ×16位)

    S-93C56C : 2 K位 (128字 ×16位)

    S-93C66C : 4 K位 (256字 ×16位)

    S-93C76C : 8 K位 (512字 ×16位) (開發中)

    S-93C86C : 16 K位 (1024字 ×16位) (開發中)

  • 工作電壓範圍

    讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

    寫入時 : 1.8 V ~ 5.5 V

  • 工作頻率:2.0 MHz (最大值)

  • 寫入時間:4.0 ms (最大值)

  • 順序讀出功能

  • 電源電壓低時禁止寫入功能

  • 指令誤識別的防止寫入功能

  • 重寫次數:106 次 / 字(Ta = +85°C)

  • 數據保存期

    100年 (Ta = +25°C)

    50年 (Ta = +85°C)

  • 首次出廠時數據:FFFFh

  • 工作溫度範圍:Ta = −40°C ~ +85°C

  • 無鉛 (Sn 100%)、無鹵素

S-93C86C

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S-93C86C

3線串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C

描述:

  • 本IC是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行EEPROM。容量分別為1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位,構成分別 為64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以連續讀出,這時的地址會按每16位自 動地增量。通訊方式為Microwire方式。

特點:

  • 存儲器容量

    S-93C46C : 1 K位 (64字 ×16位)

    S-93C56C : 2 K位 (128字 ×16位)

    S-93C66C : 4 K位 (256字 ×16位)

    S-93C76C : 8 K位 (512字 ×16位) (開發中)

    S-93C86C : 16 K位 (1024字 ×16位) (開發中)

  • 工作電壓範圍

    讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

    寫入時 : 1.8 V ~ 5.5 V

  • 工作頻率:2.0 MHz (最大值)

  • 寫入時間:4.0 ms (最大值)

  • 順序讀出功能

  • 電源電壓低時禁止寫入功能

  • 指令誤識別的防止寫入功能

  • 重寫次數:106 次 / 字(Ta = +85°C)

  • 數據保存期

    100年 (Ta = +25°C)

    50年 (Ta = +85°C)

  • 首次出廠時數據:FFFFh

  • 工作溫度範圍:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 無鉛 (Sn 100%)、無鹵素

S-93C46B

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S-93C46B

3線串行 EEPROM S-93C46B/56B/66B(1K/2K/4K位)

描述:

  • S-93C46B/56B/66B是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行E2PROM。

  • 容量有1 K、2 K及4 K位,構成分別是 64字 ×16位、128字 × 16位及256字 × 16位。可以連續讀出,這時的地址會按每16位自動地增量。

  • 通訊方式為Microwire方式。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出:1.8 V ~ 5.5 V

    寫入:2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作頻率:2.0 MHz(Vcc = 4.5 V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:8.0 ms (最大值)

  • 可以連續讀出

  • 電源電壓低時寫入禁止功能

  • 指令誤識別的寫入防止功能

  • 重寫次數:106次 / 字 (Ta =+85℃時)

  • 數據保存期

    100年(Ta =+25℃時)

    20年(Ta =+85℃時)

  • 存儲器容量

    S-93C46B :1 K位

    S-93C56B :2 K位

    S-93C66B :4 K位

  • 首次出廠數據:FFFFh

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-93C56B

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S-93C56B

3線串行 EEPROM S-93C46B/56B/66B(1K/2K/4K位)

描述:

  • S-93C46B/56B/66B是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行E2PROM。

  • 容量有1 K、2 K及4 K位,構成分別是 64字 ×16位、128字 × 16位及256字 × 16位。可以連續讀出,這時的地址會按每16位自動地增量。

  • 通訊方式為Microwire方式。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出:1.8 V ~ 5.5 V

    寫入:2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作頻率:2.0 MHz(Vcc = 4.5 V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:8.0 ms (最大值)

  • 可以連續讀出

  • 電源電壓低時寫入禁止功能

  • 指令誤識別的寫入防止功能

  • 重寫次數:106次 / 字 (Ta =+85℃時)

  • 數據保存期

    100年(Ta =+25℃時)

    20年(Ta =+85℃時)

  • 存儲器容量

    S-93C46B :1 K位

    S-93C56B :2 K位

    S-93C66B :4 K位

  • 首次出廠數據:FFFFh

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-93C66B

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S-93C66B

3線串行 EEPROM S-93C46B/56B/66B(1K/2K/4K位)

描述:

  • S-93C46B/56B/66B是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行E2PROM。

  • 容量有1 K、2 K及4 K位,構成分別是 64字 ×16位、128字 × 16位及256字 × 16位。可以連續讀出,這時的地址會按每16位自動地增量。

  • 通訊方式為Microwire方式。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出:1.8 V ~ 5.5 V

    寫入:2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作頻率:2.0 MHz(Vcc = 4.5 V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:8.0 ms (最大值)

  • 可以連續讀出

  • 電源電壓低時寫入禁止功能

  • 指令誤識別的寫入防止功能

  • 重寫次數:106次 / 字 (Ta =+85℃時)

  • 數據保存期

    100年(Ta =+25℃時)

    20年(Ta =+85℃時)

  • 存儲器容量

    S-93C46B :1 K位

    S-93C56B :2 K位

    S-93C66B :4 K位

  • 首次出廠數據:FFFFh

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-93C76A

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S-93C76A

3線串行 EEPROM S-93C76A(8K位)

描述:

  • S-93C76A是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行E2PROM。容量為8 K位,構成為512字×16位。可以連續讀出,這時的地址會按每16位自動地增量。

  • 通訊方式為Microwire方式。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出:1.8 v ~ 5.5 V

    寫入:2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作頻率:2.0 MHz(Vcc = 4.5 V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:10.0 ms (最大值)

  • 可以連續讀出

  • 電源電壓低時寫入禁止功能

  • 重寫次數:106次/字 (Ta =+85℃時)

  • 數據保存期:100年(Ta =+25℃時), 20年(Ta =+85℃時)

  • 存儲器容量:8 K位

  • 首次出廠數據:FFFFh

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-93C86B

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S-93C86B

3線串行 EEPROM S-93C86B(16K位)

描述:

  • S-93C86B是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行E2PROM。容量為16 K位,構成為1024字×16位。可以連續讀出,這時的地址會按每16位自動地增量。

  • 通訊方式為Microwire方式。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出: 1.8V ~ 5.5 V

    寫入: 2.7V ~ 5.5 V

  • 工作頻率:2.0 MHz(Vcc = 4.5V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:4.0 ms (最大值)

  • 可連續讀出

  • 電源電壓低時寫入禁止功能

  • 指令誤識別時寫入防止功能

  • 重寫次數:106次 / 字 (Ta =+85℃時)

  • 數據保存期

    100年(Ta =+25℃時)

    20年(Ta =+85℃時)

  • 存儲器容量:16 K位

  • 首次出廠數據:FFFFh

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-93L46A

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S-93L46A

低電壓工作3線串行 EEPROM S-93L46A/56A/66A(1K/2K/4K位)

描述:

  • S-93L46A/56A/66A是低電壓工作、高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行E2PROM。容量有1 K、2 K及4 K位,構成分別是64字×16位、128字×16位及256字×16位。可以連續讀出,這時的地址會按每16位自動地增量。

  • 通訊方式為Microwire方式。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出:1.6V ~ 5.5 V

    寫入:1.8 V~ 5.5 V (WRITE, ERASE), 2.7V ~ 5.5 V (WRAL, ERAL)

  • 工作頻率:2.0 MHz(Vcc =4.5 V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:8.0 ms (最大值)

  • 可以連續讀出

  • 電源電壓低時寫入禁止功能

  • 指令誤識別時寫入防止功能

  • 重寫次數:106次 / 字 (Ta =+85℃時)

  • 數據保存期

    100年(Ta =+25℃時)

    20年(Ta =+85℃時)

  • 存儲器容量

    S-93L46A :1 K位

    S-93L56A :2 K位

    S-93L66A :4 K位

  • 首次出廠數據:FFFFh

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-93L56A

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S-93L56A

低電壓工作3線串行 EEPROM S-93L46A/56A/66A(1K/2K/4K位)

描述:

  • S-93L46A/56A/66A是低電壓工作、高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行E2PROM。容量有1 K、2 K及4 K位,構成分別是64字×16位、128字×16位及256字×16位。可以連續讀出,這時的地址會按每16位自動地增量。

  • 通訊方式為Microwire方式。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出:1.6V ~ 5.5 V

    寫入:1.8 V~ 5.5 V (WRITE, ERASE), 2.7V ~ 5.5 V (WRAL, ERAL)

  • 工作頻率:2.0 MHz(Vcc =4.5 V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:8.0 ms (最大值)

  • 可以連續讀出

  • 電源電壓低時寫入禁止功能

  • 指令誤識別時寫入防止功能

  • 重寫次數:106次 / 字 (Ta =+85℃時)

  • 數據保存期

    100年(Ta =+25℃時)

    20年(Ta =+85℃時)

  • 存儲器容量

    S-93L46A :1 K位

    S-93L56A :2 K位

    S-93L66A :4 K位

  • 首次出廠數據:FFFFh

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-93L66A

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S-93L66A

低電壓工作3線串行 EEPROM S-93L46A/56A/66A(1K/2K/4K位)

描述:

  • S-93L46A/56A/66A是低電壓工作、高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行E2PROM。容量有1 K、2 K及4 K位,構成分別是64字×16位、128字×16位及256字×16位。可以連續讀出,這時的地址會按每16位自動地增量。

  • 通訊方式為Microwire方式。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出:1.6V ~ 5.5 V

    寫入:1.8 V~ 5.5 V (WRITE, ERASE), 2.7V ~ 5.5 V (WRAL, ERAL)

  • 工作頻率:2.0 MHz(Vcc =4.5 V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:8.0 ms (最大值)

  • 可以連續讀出

  • 電源電壓低時寫入禁止功能

  • 指令誤識別時寫入防止功能

  • 重寫次數:106次 / 字 (Ta =+85℃時)

  • 數據保存期

    100年(Ta =+25℃時)

    20年(Ta =+85℃時)

  • 存儲器容量

    S-93L46A :1 K位

    S-93L56A :2 K位

    S-93L66A :4 K位

  • 首次出廠數據:FFFFh

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-93L76A

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S-93L76A

低電壓工作 3線串行 EEPROM S-93L76A(8K位)

描述:

  • S-93L76A是低電壓工作、高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的串行3線E2PROM。容量為8 K位,構成為512字×16位。可以連續讀出,這時的地址會按每16位自動地增量。

  • 通訊方式為Microwire方式。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出:1.6 V ~ 5.5 V

    寫入:1.8 V ~ 5.5 V(WRITE, ERASE), 2.7 ~ 5.5 V(WRAL, ERAL)

  • 工作頻率:2.0 MHz(Vcc =4.5 V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:10.0 ms (最大值)

  • 可以連續讀出:電源電壓低時寫入禁止功能

  • 重寫次數:106次 / 字 (Ta = +85℃時)

  • 數據保存期

    100年(Ta = +25℃時)

    20年(Ta = +85℃時)

  • 存儲器容量:8 K位

  • 首次出廠數據:FFFFh

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-24C02D

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S-24C02D

2線串行EEPROM S-24C02D/04D/08D/16D (2K/4K/8K/16K 位)

描述:

  • 本IC是消耗電流低、工作電壓範圍廣的2線串行EEPROM。容量為2 K位、4 K位、8 K位、16K位,構成為256字× 8位、512字× 8位、1024字× 8位、2048字× 8位。可進行頁寫入和順序讀出。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出時 : 1.7 V ~ 5.5 V

    寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作頻率

    1.0 MHz (最大值) (Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

    400 kHz (最大值) (Vcc = 1.7 V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:5.0 ms (最大值)

  • 頁寫入功能

    S-24C02D : 8節 / 頁

    S-24C04D : 16節 / 頁

    S-24C08D : 16節 / 頁

    S-24C16D : 16節 / 頁

  • 順序讀出功能

  • 噪聲除去:備有施密特觸發器、噪聲濾波器輸入端子 (SCL, SDA)

  • 電源電壓低時的禁止寫入功能

  • 重寫次數:106次 / 字(Ta = +25°C)

  • 數據保存期:100年 (Ta = +25°C)

  • 存儲器容量

    S-24C02D: 2 K位

    S-24C04D : 4 K位

    S-24C08D : 8 K位

    S-24C16D : 16 K位

  • 寫入保護:100%

  • 首次出廠時數據:FFh

  • 工作溫度範圍:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-24C04D

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S-24C04D

2線串行EEPROM S-24C02D/04D/08D/16D (2K/4K/8K/16K 位)

描述:

  • 本IC是消耗電流低、工作電壓範圍廣的2線串行EEPROM。容量為2 K位、4 K位、8 K位、16K位,構成為256字× 8位、512字× 8位、1024字× 8位、2048字× 8位。可進行頁寫入和順序讀出。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出時 : 1.7 V ~ 5.5 V

    寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作頻率

    1.0 MHz (最大值) (Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

    400 kHz (最大值) (Vcc = 1.7 V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:5.0 ms (最大值)

  • 頁寫入功能

    S-24C02D : 8節 / 頁

    S-24C04D : 16節 / 頁

    S-24C08D : 16節 / 頁

    S-24C16D : 16節 / 頁

  • 順序讀出功能

  • 噪聲除去:備有施密特觸發器、噪聲濾波器輸入端子 (SCL, SDA)

  • 電源電壓低時的禁止寫入功能

  • 重寫次數:106次 / 字(Ta = +25°C)

  • 數據保存期:100年 (Ta = +25°C)

  • 存儲器容量

    S-24C02D: 2 K位

    S-24C04D : 4 K位

    S-24C08D : 8 K位

    S-24C16D : 16 K位

  • 寫入保護:100%

  • 首次出廠時數據:FFh

  • 工作溫度範圍:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-24C08D

 S24C02D_04D_08D_16D_.pdf

S-24C08D

2線串行EEPROM S-24C02D/04D/08D/16D (2K/4K/8K/16K 位)

描述:

  • 本IC是消耗電流低、工作電壓範圍廣的2線串行EEPROM。容量為2 K位、4 K位、8 K位、16K位,構成為256字× 8位、512字× 8位、1024字× 8位、2048字× 8位。可進行頁寫入和順序讀出。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出時 : 1.7 V ~ 5.5 V

    寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作頻率

    1.0 MHz (最大值) (Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

    400 kHz (最大值) (Vcc = 1.7 V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:5.0 ms (最大值)

  • 頁寫入功能

    S-24C02D : 8節 / 頁

    S-24C04D : 16節 / 頁

    S-24C08D : 16節 / 頁

    S-24C16D : 16節 / 頁

  • 順序讀出功能

  • 噪聲除去:備有施密特觸發器、噪聲濾波器輸入端子 (SCL, SDA)

  • 電源電壓低時的禁止寫入功能

  • 重寫次數:106次 / 字(Ta = +25°C)

  • 數據保存期:100年 (Ta = +25°C)

  • 存儲器容量

    S-24C02D: 2 K位

    S-24C04D : 4 K位

    S-24C08D : 8 K位

    S-24C16D : 16 K位

  • 寫入保護:100%

  • 首次出廠時數據:FFh

  • 工作溫度範圍:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-24C16D

 S24C02D_04D_08D_16D_.pdf

S-24C16D

2線串行EEPROM S-24C02D/04D/08D/16D (2K/4K/8K/16K 位)

描述:

  • 本IC是消耗電流低、工作電壓範圍廣的2線串行EEPROM。容量為2 K位、4 K位、8 K位、16K位,構成為256字× 8位、512字× 8位、1024字× 8位、2048字× 8位。可進行頁寫入和順序讀出。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出時 : 1.7 V ~ 5.5 V

    寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作頻率

    1.0 MHz (最大值) (Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

    400 kHz (最大值) (Vcc = 1.7 V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:5.0 ms (最大值)

  • 頁寫入功能

    S-24C02D : 8節 / 頁

    S-24C04D : 16節 / 頁

    S-24C08D : 16節 / 頁

    S-24C16D : 16節 / 頁

  • 順序讀出功能

  • 噪聲除去:備有施密特觸發器、噪聲濾波器輸入端子 (SCL, SDA)

  • 電源電壓低時的禁止寫入功能

  • 重寫次數:106次 / 字(Ta = +25°C)

  • 數據保存期:100年 (Ta = +25°C)

  • 存儲器容量

    S-24C02D: 2 K位

    S-24C04D : 4 K位

    S-24C08D : 8 K位

    S-24C16D : 16 K位

  • 寫入保護:100%

  • 首次出廠時數據:FFh

  • 工作溫度範圍:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-24C32C

 S24C32C_64C_.pdf

S-24C32C

2線串行 EEPROM S-24C32C/64C(32K/64K位)

描述:

  • S-24C32C/64C是低消耗電流、寬工作電壓範圍的2線串行E2PROM。

  • 容量為32 K位、64 K位,構成為4096字×8位、8192字×8位。可進行頁寫入和順序讀出。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

    寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 頁寫入功能:32字節 / 頁

  • 順序讀出功能

  • 工作頻率:400 kHz(Vcc = 1.6 V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:5.0 ms (最大值)

  • 噪聲除去:備有施密特觸發器、噪聲濾波器輸入端子(SCL, SDA)

  • 低電源電壓時禁止寫入功能

  • 重寫次數:106次 / 字(Ta =+25℃時)

  • 數據保存期:100年(Ta =+25℃時)

  • 存儲器容量

    S-24C32C : 32 K位

    S-24C64C : 64 K位

  • 備有寫入保護功能:100%

  • 首次出廠數據:FFh

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-24C64C

 S24C32C_64C_.pdf

S-24C64C

2線串行 EEPROM S-24C32C/64C(32K/64K位)

描述:

  • S-24C32C/64C是低消耗電流、寬工作電壓範圍的2線串行E2PROM。

  • 容量為32 K位、64 K位,構成為4096字×8位、8192字×8位。可進行頁寫入和順序讀出。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

    寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 頁寫入功能:32字節 / 頁

  • 順序讀出功能

  • 工作頻率:400 kHz(Vcc = 1.6 V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:5.0 ms (最大值)

  • 噪聲除去:備有施密特觸發器、噪聲濾波器輸入端子(SCL, SDA)

  • 低電源電壓時禁止寫入功能

  • 重寫次數:106次 / 字(Ta =+25℃時)

  • 數據保存期:100年(Ta =+25℃時)

  • 存儲器容量

    S-24C32C : 32 K位

    S-24C64C : 64 K位

  • 備有寫入保護功能:100%

  • 首次出廠數據:FFh

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-24C128C

 S24C128C_.pdf

S-24C128C

2線串行 EEPROM S-24C128C(128K位)

描述:

  • S-24C128C是低消耗電流、寬工作電壓範圍的2線串行E2PROM。容量為128 K位,構成為16384字×8位。可進行頁寫入和順序讀出。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出時: 1.6 V ~ 5.5 V

    寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 頁寫入功能:64字節 / 頁

  • 順序讀出功能

  • 工作頻率:400 kHz(Vcc = 1.6 V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:5.0 ms (最大值)

  • 噪聲除去:備有施密特觸發器、噪聲濾波器輸入端子(SCL, SDA)

  • 低電源電壓時禁止寫入功能

  • 重寫次數:106次 / 字(Ta =+25℃時)

  • 數據保存期:100年(Ta =+25℃時)

  • 存儲器容量:128 K位

  • 備有寫入保護功能:100%

  • 首次出廠數據:FFh

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-24C256C

 S24C256C_.pdf

S-24C256C

2線串行 EEPROM S-24C256C (256K位)

描述:

  • S-24C256C是低消耗電流、寬工作電壓範圍的2線串行E2PROM。容量為256 K位,構成為32768字×8位。可進行頁寫入和順序讀出。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

    寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 頁寫入功能 64字節 / 頁

  • 順序讀出功能

  • 工作頻率

    1.0 MHz(Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

    400 kHz(Vcc = 1.6 V ~ 2.5 V)

  • 寫入時間:5.0 ms (最大值)

  • 噪聲除去:備有施密特觸發器、噪聲濾波器輸入端子(SCL, SDA)

  • 低電源電壓時禁止寫入功能

  • 重寫次數:106次 / 組(Ta =+25°C時)

  • 數據保存期:100年(Ta =+25°C時)

  • 存儲器容量:256 K位

  • 備有寫入保護功能:100%

  • 首次出廠數據:FFh

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-24C512C

 S24C512C_.pdf

S-24C512C

2線串行 EEPROM S-24C512C (512K位)

描述:

  • S-24C512C是低消耗電流、寬工作電壓範圍的2線串行E2PROM。容量為512 K位,構成為65536字×8位。可進行頁寫入和順序讀出


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

    寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 頁寫入功能 128字節 / 頁

  • 順序讀出功能

  • 工作頻率

    1.0 MHz(Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

    400 kHz(Vcc = 1.6 V ~ 2.5 V)

  • 寫入時間:5.0 ms (最大值)

  • 噪聲除去:備有施密特觸發器、噪聲濾波器輸入端子(SCL, SDA)

  • 低電源電壓時禁止寫入功能

  • 重寫次數:106次 / 組(Ta =+25℃時)

  • 數據保存期:100年(Ta =+25℃時)

  • 存儲器容量:512 K位

  • 備有寫入保護功能:100%

  • 首次出廠數據:FFh

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-24CM01C

 S24CM01C_.pdf

S-24CM01C

2線串行 EEPROM S-24CM01C (1M位)

描述:

  • S-24CM01C是低消耗電流、寬工作電壓範圍的2線串行E2PROM。容量為 1M位,構成為131072字×8位。可進行頁寫入和順序讀出。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

    寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 頁寫入功能:256字節 / 頁

  • 順序讀出功能

  • 工作頻率

    1.0 MHz(Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

    400 kHz(Vcc = 1.6 V ~ 2.5 V)

  • 寫入時間:5.0 ms (最大值)

  • 噪聲除去:備有施密特觸發器、噪聲濾波器輸入端子(SCL, SDA)

  • 低電源電壓時禁止寫入功能

  • 重寫次數:106次 / 組(Ta =+25℃時)

  • 數據保存期:100年(Ta =+25℃時)

  • 存儲器容量:1M位

  • 備有寫入保護功能:100%

  • 首次出廠數據:FFh

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-34C02B
S-34C04A

 S34C04A_.pdf

S-34C04A

2線串行EEPROM用於DIMM SPD S-34C04A

描述:

  • 本IC是可在1.7 V ~ 3.6 V範圍內工作,用於DIMM SPD的2線串行EEPROM。容量為4 K位,構成是2頁 × 256字 × 8位。可進行頁寫入、順序讀出。

  • 本IC可在最大1.0 MHz的I2C-bus下工作。


特點:

  • 頁寫入:16節 / 頁

  • 順序讀出:電源電壓低時的禁止寫入功能

  • 寫入保護:可按每4塊 (128字節 / 塊) 設置軟件保護

  • 重寫次數:106次 / 字 (Ta = +25℃)

  • 數據保存期:100年 (Ta = +25℃)

  • 存儲器容量:4 K位

  • 首次出廠時數據:FFh

  • 遵從JEDEC規範:EE1004-1

  • 消耗電流

    待機模式 : 3.0 μA (最大值)

    讀出模式 : 0.4 mA (最大值)

    寫入模式 : 2.0 mA (最大值)

  • 工作電壓範圍:1.7 V ~ 3.6 V

  • 工作頻率

    1.0 MHz (最大值) (Vdd = 2.2 V ~ 3.6 V)

    400 kHz (最大值) (Vdd = 1.7 V ~ 3.6 V)

  • 噪聲除去:備有施密特觸發器、帶噪聲濾波器輸入端子 (SCL, SDA)

  • 工作溫度範圍:Ta = −20℃ ~ +125℃

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-25C010A

 S25C010A_020A_040A_.pdf

S-25C010A

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C010A/020A/040A(1K/2K/4K位)

描述:

  • S-25C010A/020A/040A是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的 SPI串行E2PROM。容量為1 K、2 K、4 K位,構成是128 × 8位、256 × 8位、 512 × 8位。可進行頁寫入、順序讀出。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出時: 1.6 V ~ 5.5 V

    寫入時: 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作頻率:5.0 MHz(Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:4.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 頁寫入功能:16字節 / 頁

  • 順序讀出功能

  • 寫入保護功能:軟件、硬件

  • 保護領域:25%, 50%, 100%

  • 可通過狀態寄存器監視存儲器的寫入狀態

  • 通過監視時鐘脈沖防止誤工作的功能

  • 電源電壓低時寫入禁止功能

  • CMOS施密特輸入(CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重寫次數:106次/字(Ta =+25℃時)

  • 數據保存期:100年(Ta =+25℃時)

  • 存儲器容量

    S-25C010A : 1K位

    S-25C020A : 2K位

    S-25C040A : 4K位

  • 首次出廠數據:FFh, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-25C020A

 S25C010A_020A_040A_.pdf

S-25C020A

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C010A/020A/040A(1K/2K/4K位)

描述:

  • S-25C010A/020A/040A是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的 SPI串行E2PROM。容量為1 K、2 K、4 K位,構成是128 × 8位、256 × 8位、 512 × 8位。可進行頁寫入、順序讀出。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出時: 1.6 V ~ 5.5 V

    寫入時: 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作頻率:5.0 MHz(Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:4.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 頁寫入功能:16字節 / 頁

  • 順序讀出功能

  • 寫入保護功能:軟件、硬件

  • 保護領域:25%, 50%, 100%

  • 可通過狀態寄存器監視存儲器的寫入狀態

  • 通過監視時鐘脈沖防止誤工作的功能

  • 電源電壓低時寫入禁止功能

  • CMOS施密特輸入(CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重寫次數:106次/字(Ta =+25℃時)

  • 數據保存期:100年(Ta =+25℃時)

  • 存儲器容量

    S-25C010A : 1K位

    S-25C020A : 2K位

    S-25C040A : 4K位

  • 首次出廠數據:FFh, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-25C040A

 S25C010A_020A_040A_.pdf

S-25C040A

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C010A/020A/040A(1K/2K/4K位)

描述:

  • S-25C010A/020A/040A是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的 SPI串行E2PROM。容量為1 K、2 K、4 K位,構成是128 × 8位、256 × 8位、 512 × 8位。可進行頁寫入、順序讀出。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出時: 1.6 V ~ 5.5 V

    寫入時: 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作頻率:5.0 MHz(Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:4.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 頁寫入功能:16字節 / 頁

  • 順序讀出功能

  • 寫入保護功能:軟件、硬件

  • 保護領域:25%, 50%, 100%

  • 可通過狀態寄存器監視存儲器的寫入狀態

  • 通過監視時鐘脈沖防止誤工作的功能

  • 電源電壓低時寫入禁止功能

  • CMOS施密特輸入(CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重寫次數:106次/字(Ta =+25℃時)

  • 數據保存期:100年(Ta =+25℃時)

  • 存儲器容量

    S-25C010A : 1K位

    S-25C020A : 2K位

    S-25C040A : 4K位

  • 首次出廠數據:FFh, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-25C080A

 S25C080A_.pdf

S-25C080A

CMOS SPI 8K 串行EEPROM S-25C080A(8K位)

描述:

  • S-25C080A是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的SPI 串行E2PROM。容量為8 K位,構成是1024字×8位。

  • 可進行頁寫入、順序讀出。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出時: 1.6 V ~ 5.5 V

    寫入時: 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作頻率:5.0 MHz(Vcc = 2.5 ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:4.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 頁寫入功能:32字節 / 頁

  • 順序讀出功能

  • 寫入保護功能:軟件、硬件

  • 保護領域:25%, 50%, 100%

  • 可通過狀態寄存器監視存儲器的寫入狀態

  • 通過監視時鐘脈沖防止誤工作的功能

  • 電源電壓低時的禁止寫入功能

  • CMOS施密特輸入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重寫次數:106次 / 字(Ta =+25℃時)

  • 數據保存期:100年(Ta =+25℃時)

  • 存儲器容量:8 K位

  • 首次出廠數據:FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-25C160A

 S25C160A_.pdf

S-25C160A

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C160A(16K位)

描述:

  • S-25C160A是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的 SPI 串行 E2PROM。

  • 容量為16 K位,構成是2048字×8位。 可進行頁寫入、順序讀出。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出時: 1.6 V ~ 5.5 V

    寫入時: 1.7 V ~ 5.5 V

  • 時鐘頻率:5.0 MHz(Vcc =2.5 V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:5.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 頁寫入功能:32字節 / 頁

  • 順序讀出功能

  • 寫入保護功能:軟件、硬件

  • 保護領域:25%, 50%, 100%

  • 可通過狀態寄存器監視存儲器的寫入狀態

  • 通過監視時鐘脈沖防止誤工作的功能

  • 電源電壓低時的禁止寫入功能

  • CMOS施密特輸入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重寫次數:106次/字(Ta =+25℃時)

  • 數據保存期:100年(+25℃時)

  • 存儲器容量:16 K位

  • 首次出廠數據:FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-25C320A

 S25C320A_640A_.pdf

S-25C320A

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C320A/640A(32K/64K位)

描述:

  • S-25C320A/640A是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的 SPI 串行 E2PROM。

  • 容量為32 K位、64 K位,構成為4096字×8位、8192字×8 位。可進行頁寫入、順序讀出。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出時: 1.6 V ~ 5.5 V

    寫入時: 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作頻率:5.0 MHz(Vcc =2.5 V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:5.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 頁寫入功能:32字節 / 頁

  • 順序讀出功能

  • 寫入保護功能:軟件、硬件

  • 保護領域:25%, 50%, 100%

  • 可通過狀態寄存器監視存儲器的寫入狀態

  • 通過監視時鐘脈沖防止誤工作的功能

  • 電源電壓低時的禁止寫入功能

  • CMOS施密特輸入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重寫次數:106次 / 字(Ta =+25℃時)

  • 數據保存期:100年(Ta =+25℃時)

  • 存儲器容量

  • S-25C320A 32 K位

  • S-25C640A 64 K位

  • 首次出廠數據:FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-25C640A

 S25C320A_640A_.pdf

S-25C640A

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C320A/640A(32K/64K位)

描述:

  • S-25C320A/640A是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的 SPI 串行 E2PROM。

  • 容量為32 K位、64 K位,構成為4096字×8位、8192字×8 位。可進行頁寫入、順序讀出。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出時: 1.6 V ~ 5.5 V

    寫入時: 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作頻率:5.0 MHz(Vcc =2.5 V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:5.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 頁寫入功能:32字節 / 頁

  • 順序讀出功能

  • 寫入保護功能:軟件、硬件

  • 保護領域:25%, 50%, 100%

  • 可通過狀態寄存器監視存儲器的寫入狀態

  • 通過監視時鐘脈沖防止誤工作的功能

  • 電源電壓低時的禁止寫入功能

  • CMOS施密特輸入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重寫次數:106次 / 字(Ta =+25℃時)

  • 數據保存期:100年(Ta =+25℃時)

  • 存儲器容量

    S-25C320A 32 K位

    S-25C640A 64 K位

  • 首次出廠數據:FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-25C128A

 S25C128A_.pdf

S-25C128A

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C128A(128K位)

描述:

  • S-25C128A是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的 SPI 串行 E2PROM。容量為128 K位,構成是16384字×8位。 可進行頁寫入、順序讀出。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

    寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 時鐘頻率:5.0 MHz(Vcc =2.5 V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:5.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 頁寫入功能:64字節 / 頁

  • 順序讀出功能

  • 寫入保護功能

    軟件、硬件

    25%, 50%, 100%

  • 可通過狀態寄存器監視存儲器的寫入狀態

  • 通過監視時鐘脈沖防止誤工作的功能

  • 電源電壓低時的禁止寫入功能

  • CMOS施密特輸入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重寫次數:106次 / 字(Ta =+25℃時)

  • 數據保存期:100年(Ta =+25℃時)

  • 存儲器容量:128 K位

  • 首次出廠數據:FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-25C256A

 S25C256A_.pdf

S-25C256A

SPI 串行EEPROM S-25C256A (256K位)

描述:

  • S-25C256A系列是高速、低消耗電流、寬工作電壓範圍的SPI串行E2PROM。容量為256 K位,構成是32768字×8位。可進行頁寫入、順序讀出。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

    寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作頻率:10.0 MHz(Vcc =2.5 V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:5.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 頁寫入功能:64字節 / 頁

  • 順序讀出功能

  • 寫入保護功能:軟件、硬件

  • 保護領域:25%, 50%, 100%

  • 可通過狀態寄存器監視存儲器的寫入狀態

  • 通過監視時鐘脈沖防止誤工作的功能

  • 電源電壓低時的禁止寫入功能

  • CMOS施密特輸入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重寫次數:106次 / 組(Ta =+25°C時)

  • 數據保存期:100年(Ta =+25°C時)

  • 存儲器容量:256 K位

  • 首次出廠數據:FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-25C512A

 S25C512A_.pdf

S-25C512A

SPI 串行EEPROM S-25C512A (512K位)

描述:

  • S-25C512A系列是高速、低消耗電流、寬工作電壓範圍的SPI串行E2PROM。容量為512 K位,構成是65536字×8位。可進行頁寫入、順序讀出。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

    寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作頻率:10.0 MHz(Vcc =2.5 V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:5.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 頁寫入功能:128字節 / 頁

  • 順序讀出功能

  • 寫入保護功能:軟件、硬件

  • 保護領域:25%, 50%, 100%

  • 可通過狀態寄存器監視存儲器的寫入狀態

  • 通過監視時鐘脈沖防止誤工作的功能

  • 電源電壓低時的禁止寫入功能

  • CMOS施密特輸入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重寫次數:106次 / 組(Ta =+25°C時)

  • 數據保存期:100年(Ta =+25°C時)

  • 存儲器容量:512 K位

  • 首次出廠數據:FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素

S-25CM01A

 S25CM01A_.pdf

S-25CM01A

SPI 串行EEPROM S-25CM01A (1M位)

描述:

  • S-25CM01A系列是高速、低消耗電流、寬工作電壓範圍的SPI串行E2PROM。

  • 容量為1 M位,構成是131072字×8位。可進行頁寫入、順序讀出。


特點:

  • 工作電壓範圍

    讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

    寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作頻率:10.0 MHz( Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

  • 寫入時間:5.0 ms ( 最大值 )

  • 支持SPI模式( 0, 0 )&( 1, 1 )

  • 頁寫入功能:256字節 / 頁

  • 順序讀出功能

  • 寫入保護功能:軟件、硬件

  • 保護領域:25%, 50%, 100%

  • 可通過狀態寄存器監視存儲器的寫入狀態

  • 通過監視時鐘脈沖防止誤工作的功能

  • 電源電壓低時的禁止寫入功能

  • CMOS施密特輸入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重寫次數:106次 / 組( Ta = +25°C時)

  • 數據保存期:100年( Ta = +25°C時)

  • 存儲器容量:1 M位

  • 首次出廠數據:FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 無鉛

  • Sn 100%

  • 無鹵素