集成电路 | 存储器
普通用途串行(EEPROM)

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S-93C46C

3线串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C

描述:

  • 本IC是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行EEPROM。容量分别为1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位,构成分别 为64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自 动地增量。通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 存储器容量

    S-93C46C : 1 K位 (64字 ×16位)

    S-93C56C : 2 K位 (128字 ×16位)

    S-93C66C : 4 K位 (256字 ×16位)

    S-93C76C : 8 K位 (512字 ×16位) (开发中)

    S-93C86C : 16 K位 (1024字 ×16位) (开发中)

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.8 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:2.0 MHz (最大值)

  • 写入时间:4.0 ms (最大值)

  • 顺序读出功能

  • 电源电压低时禁止写入功能

  • 指令误识别的防止写入功能

  • 重写次数:106 次 / 字(Ta = +85°C)

  • 数据保存期

    100年 (Ta = +25°C)

    50年 (Ta = +85°C)

  • 首次出厂时数据:FFFFh

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

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S-93C56C

3线串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C

描述:

  • 本IC是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行EEPROM。容量分别为1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位,构成分别 为64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自 动地增量。通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 存储器容量

    S-93C46C : 1 K位 (64字 ×16位)

    S-93C56C : 2 K位 (128字 ×16位)

    S-93C66C : 4 K位 (256字 ×16位)

    S-93C76C : 8 K位 (512字 ×16位) (开发中)

    S-93C86C : 16 K位 (1024字 ×16位) (开发中)

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.8 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:2.0 MHz (最大值)

  • 写入时间:4.0 ms (最大值)

  • 顺序读出功能

  • 电源电压低时禁止写入功能

  • 指令误识别的防止写入功能

  • 重写次数:106 次 / 字(Ta = +85°C)

  • 数据保存期

    100年 (Ta = +25°C)

    50年 (Ta = +85°C)

  • 首次出厂时数据:FFFFh

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

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S-93C66C

3线串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C

描述:

  • 本IC是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行EEPROM。容量分别为1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位,构成分别 为64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自 动地增量。通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 存储器容量

    S-93C46C : 1 K位 (64字 ×16位)

    S-93C56C : 2 K位 (128字 ×16位)

    S-93C66C : 4 K位 (256字 ×16位)

    S-93C76C : 8 K位 (512字 ×16位) (开发中)

    S-93C86C : 16 K位 (1024字 ×16位) (开发中)

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.8 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:2.0 MHz (最大值)

  • 写入时间:4.0 ms (最大值)

  • 顺序读出功能

  • 电源电压低时禁止写入功能

  • 指令误识别的防止写入功能

  • 重写次数:106 次 / 字(Ta = +85°C)

  • 数据保存期

    100年 (Ta = +25°C)

    50年 (Ta = +85°C)

  • 首次出厂时数据:FFFFh

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

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S-93C76C

3线串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C

描述:

  • 本IC是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行EEPROM。容量分别为1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位,构成分别 为64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自 动地增量。通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 存储器容量

    S-93C46C : 1 K位 (64字 ×16位)

    S-93C56C : 2 K位 (128字 ×16位)

    S-93C66C : 4 K位 (256字 ×16位)

    S-93C76C : 8 K位 (512字 ×16位) (开发中)

    S-93C86C : 16 K位 (1024字 ×16位) (开发中)

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.8 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:2.0 MHz (最大值)

  • 写入时间:4.0 ms (最大值)

  • 顺序读出功能

  • 电源电压低时禁止写入功能

  • 指令误识别的防止写入功能

  • 重写次数:106 次 / 字(Ta = +85°C)

  • 数据保存期

    100年 (Ta = +25°C)

    50年 (Ta = +85°C)

  • 首次出厂时数据:FFFFh

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

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S-93C86C

3线串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C

描述:

  • 本IC是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行EEPROM。容量分别为1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位,构成分别 为64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自 动地增量。通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 存储器容量

    S-93C46C : 1 K位 (64字 ×16位)

    S-93C56C : 2 K位 (128字 ×16位)

    S-93C66C : 4 K位 (256字 ×16位)

    S-93C76C : 8 K位 (512字 ×16位) (开发中)

    S-93C86C : 16 K位 (1024字 ×16位) (开发中)

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.8 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:2.0 MHz (最大值)

  • 写入时间:4.0 ms (最大值)

  • 顺序读出功能

  • 电源电压低时禁止写入功能

  • 指令误识别的防止写入功能

  • 重写次数:106 次 / 字(Ta = +85°C)

  • 数据保存期

    100年 (Ta = +25°C)

    50年 (Ta = +85°C)

  • 首次出厂时数据:FFFFh

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

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S-93C46B

3线串行 EEPROM S-93C46B/56B/66B(1K/2K/4K位)

描述:

  • S-93C46B/56B/66B是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行E2PROM。

  • 容量有1 K、2 K及4 K位,构成分别是 64字 ×16位、128字 × 16位及256字 × 16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自动地增量。

  • 通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 工作电压范围

    读出:1.8 V ~ 5.5 V

    写入:2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:2.0 MHz(Vcc = 4.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:8.0 ms (最大值)

  • 可以连续读出

  • 电源电压低时写入禁止功能

  • 指令误识别的写入防止功能

  • 重写次数:106次 / 字 (Ta =+85℃时)

  • 数据保存期

    100年(Ta =+25℃时)

    20年(Ta =+85℃时

  • 存储器容量

    S-93C46B :1 K位

    S-93C56B :2 K位

    S-93C66B :4 K位

  • 首次出厂数据:FFFFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

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S-93C56B

3线串行 EEPROM S-93C46B/56B/66B(1K/2K/4K位)

描述:

  • S-93C46B/56B/66B是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行E2PROM。

  • 容量有1 K、2 K及4 K位,构成分别是 64字 ×16位、128字 × 16位及256字 × 16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自动地增量。

  • 通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 工作电压范围

    读出:1.8 V ~ 5.5 V

    写入:2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:2.0 MHz(Vcc = 4.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:8.0 ms (最大值)

  • 可以连续读出

  • 电源电压低时写入禁止功能

  • 指令误识别的写入防止功能

  • 重写次数:106次 / 字 (Ta =+85℃时)

  • 数据保存期

    100年(Ta =+25℃时)

    20年(Ta =+85℃时)

  • 存储器容量

    S-93C46B :1 K位

    S-93C56B :2 K位

    S-93C66B :4 K位

  • 首次出厂数据:FFFFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

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S-93C66B

3线串行 EEPROM S-93C46B/56B/66B(1K/2K/4K位)

描述:

S-93C46B/56B/66B是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行E2PROM。

容量有1 K、2 K及4 K位,构成分别是 64字 ×16位、128字 × 16位及256字 × 16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自动地增量。

通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 工作电压范围

    读出:1.8 V ~ 5.5 V

    写入:2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:2.0 MHz(Vcc = 4.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:8.0 ms (最大值)

  • 可以连续读出

  • 电源电压低时写入禁止功能

  • 指令误识别的写入防止功能

  • 重写次数:106次 / 字 (Ta =+85℃时)

  • 数据保存期

    100年(Ta =+25℃时)

    20年(Ta =+85℃时)

  • 存储器容量

    S-93C46B :1 K位

    S-93C56B :2 K位

    S-93C66B :4 K位

  • 首次出厂数据:FFFFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

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S-93C76A

3线串行 EEPROM S-93C76A(8K位)

描述:

  • S-93C76A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行E2PROM。容量为8 K位,构成为512字×16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自动地增量。

  • 通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 工作电压范围

    读出:1.8 v ~ 5.5 V

    写入:2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:2.0 MHz(Vcc = 4.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:10.0 ms (最大值)

  • 可以连续读出

  • 电源电压低时写入禁止功能

  • 重写次数:106次/字 (Ta =+85℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时), 20年(Ta =+85℃时)

  • 存储器容量:8 K位

  • 首次出厂数据:FFFFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

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S-93C86B

3线串行 EEPROM S-93C86B(16K位)

描述:

  • S-93C86B是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行E2PROM。容量为16 K位,构成为1024字×16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自动地增量。

  • 通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 工作电压范围

    读出: 1.8V ~ 5.5 V

    写入: 2.7V ~ 5.5 V

  • 工作频率:2.0 MHz(Vcc = 4.5V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:4.0 ms (最大值)

  • 可连续读出

  • 电源电压低时写入禁止功能

  • 指令误识别时写入防止功能

  • 重写次数:106次 / 字 (Ta =+85℃时)

  • 数据保存期

    100年(Ta =+25℃时)

    20年(Ta =+85℃时)

  • 存储器容量:16 K位

  • 首次出厂数据:FFFFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

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S-93L46A

低电压工作3线串行 EEPROM S-93L46A/56A/66A(1K/2K/4K位)

描述:

  • S-93L46A/56A/66A是低电压工作、高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行E2PROM。容量有1 K、2 K及4 K位,构成分别是64字×16位、128字×16位及256字×16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自动地增量。

  • 通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 工作电压范围

    读出:1.6V ~ 5.5 V

    写入:1.8 V~ 5.5 V (WRITE, ERASE), 2.7V ~ 5.5 V (WRAL, ERAL)

  • 工作频率:2.0 MHz(Vcc =4.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:8.0 ms (最大值)

  • 可以连续读出

  • 电源电压低时写入禁止功能

  • 指令误识别时写入防止功能

  • 重写次数:106次 / 字 (Ta =+85℃时)

  • 数据保存期

    100年(Ta =+25℃时)

    20年(Ta =+85℃时)

  • 存储器容量

    S-93L46A :1 K位

    S-93L56A :2 K位

    S-93L66A :4 K位

  • 首次出厂数据:FFFFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

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S-93L56A

低电压工作3线串行 EEPROM S-93L46A/56A/66A(1K/2K/4K位)

描述:

  • S-93L46A/56A/66A是低电压工作、高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行E2PROM。容量有1 K、2 K及4 K位,构成分别是64字×16位、128字×16位及256字×16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自动地增量。

  • 通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 工作电压范围

    读出:1.6V ~ 5.5 V

    写入:1.8 V~ 5.5 V (WRITE, ERASE), 2.7V ~ 5.5 V (WRAL, ERAL)

  • 工作频率:2.0 MHz(Vcc =4.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:8.0 ms (最大值)

  • 可以连续读出

  • 电源电压低时写入禁止功能

  • 指令误识别时写入防止功能

  • 重写次数:106次 / 字 (Ta =+85℃时)

  • 数据保存期

    100年(Ta =+25℃时)

    20年(Ta =+85℃时)

  • 存储器容量

    S-93L46A :1 K位

    S-93L56A :2 K位

    S-93L66A :4 K位

  • 首次出厂数据:FFFFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S93L46A_56A_66A_.pdf

S-93L66A

低电压工作3线串行 EEPROM S-93L46A/56A/66A(1K/2K/4K位)

描述:

  • S-93L46A/56A/66A是低电压工作、高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行E2PROM。容量有1 K、2 K及4 K位,构成分别是64字×16位、128字×16位及256字×16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自动地增量。

  • 通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 工作电压范围

    读出:1.6V ~ 5.5 V

    写入:1.8 V~ 5.5 V (WRITE, ERASE), 2.7V ~ 5.5 V (WRAL, ERAL)

  • 工作频率:2.0 MHz(Vcc =4.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:8.0 ms (最大值)

  • 可以连续读出

  • 电源电压低时写入禁止功能

  • 指令误识别时写入防止功能

  • 重写次数:106次 / 字 (Ta =+85℃时)

  • 数据保存期

    100年(Ta =+25℃时)

    20年(Ta =+85℃时)

  • 存储器容量

    S-93L46A :1 K位

    S-93L56A :2 K位

    S-93L66A :4 K位

  • 首次出厂数据:FFFFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

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S-93L76A

低电压工作 3线串行 EEPROM S-93L76A(8K位)

描述:

  • S-93L76A是低电压工作、高速、低消耗电流和宽工作电压范围的串行3线E2PROM。容量为8 K位,构成为512字×16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自动地增量。

  • 通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 工作电压范围

    读出:1.6 V ~ 5.5 V

    写入:1.8 V ~ 5.5 V(WRITE, ERASE), 2.7 ~ 5.5 V(WRAL, ERAL)

  • 工作频率:2.0 MHz(Vcc =4.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:10.0 ms (最大值)

  • 可以连续读出:电源电压低时写入禁止功能

  • 重写次数:106次 / 字 (Ta = +85℃时)

  • 数据保存期

    100年(Ta = +25℃时)

    20年(Ta = +85℃时)

  • 存储器容量:8 K位

  • 首次出厂数据:FFFFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

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S-24C02D

2线串行EEPROM S-24C02D/04D/08D/16D (2K/4K/8K/16K 位)

描述:

  • 本IC是消耗电流低、工作电压范围广的2线串行EEPROM。容量为2 K位、4 K位、8 K位、16K位,构成为256字× 8位、512字× 8位、1024字× 8位、2048字× 8位。可进行页写入和顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.7 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率

    1.0 MHz (最大值) (Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

    400 kHz (最大值) (Vcc = 1.7 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 页写入功能

    S-24C02D : 8节 / 页

    S-24C04D : 16节 / 页

    S-24C08D : 16节 / 页

    S-24C16D : 16节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 噪声除去:备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子 (SCL, SDA)

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • 重写次数:106次 / 字(Ta = +25°C)

  • 数据保存期:100年 (Ta = +25°C)

  • 存储器容量

    S-24C02D: 2 K位

    S-24C04D : 4 K位

    S-24C08D : 8 K位

    S-24C16D : 16 K位

  • 写入保护:100%

  • 首次出厂时数据:FFh

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

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S-24C04D

2线串行EEPROM S-24C02D/04D/08D/16D (2K/4K/8K/16K 位)

描述:

  • 本IC是消耗电流低、工作电压范围广的2线串行EEPROM。容量为2 K位、4 K位、8 K位、16K位,构成为256字× 8位、512字× 8位、1024字× 8位、2048字× 8位。可进行页写入和顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.7 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率

    1.0 MHz (最大值) (Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

    400 kHz (最大值) (Vcc = 1.7 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 页写入功能

    S-24C02D : 8节 / 页

    S-24C04D : 16节 / 页

    S-24C08D : 16节 / 页

    S-24C16D : 16节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 噪声除去:备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子 (SCL, SDA)

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • 重写次数:106次 / 字(Ta = +25°C)

  • 数据保存期:100年 (Ta = +25°C)

  • 存储器容量

    S-24C02D: 2 K位

    S-24C04D : 4 K位

    S-24C08D : 8 K位

    S-24C16D : 16 K位

  • 写入保护:100%

  • 首次出厂时数据:FFh

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S24C02D_04D_08D_16D_.pdf

S-24C08D

2线串行EEPROM S-24C02D/04D/08D/16D (2K/4K/8K/16K 位)

描述:

  • 本IC是消耗电流低、工作电压范围广的2线串行EEPROM。容量为2 K位、4 K位、8 K位、16K位,构成为256字× 8位、512字× 8位、1024字× 8位、2048字× 8位。可进行页写入和顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.7 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率

    1.0 MHz (最大值) (Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

    400 kHz (最大值) (Vcc = 1.7 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 页写入功能

    S-24C02D : 8节 / 页

    S-24C04D : 16节 / 页

    S-24C08D : 16节 / 页

    S-24C16D : 16节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 噪声除去:备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子 (SCL, SDA)

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • 重写次数:106次 / 字(Ta = +25°C)

  • 数据保存期:100年 (Ta = +25°C)

  • 存储器容量

    S-24C02D: 2 K位

    S-24C04D : 4 K位

    S-24C08D : 8 K位

    S-24C16D : 16 K位

  • 写入保护:100%

  • 首次出厂时数据:FFh

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S24C02D_04D_08D_16D_.pdf

S-24C16D

2线串行EEPROM S-24C02D/04D/08D/16D (2K/4K/8K/16K 位)

描述:

  • 本IC是消耗电流低、工作电压范围广的2线串行EEPROM。容量为2 K位、4 K位、8 K位、16K位,构成为256字× 8位、512字× 8位、1024字× 8位、2048字× 8位。可进行页写入和顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.7 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率

    1.0 MHz (最大值) (Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

    400 kHz (最大值) (Vcc = 1.7 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 页写入功能

    S-24C02D : 8节 / 页

    S-24C04D : 16节 / 页

    S-24C08D : 16节 / 页

    S-24C16D : 16节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 噪声除去:备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子 (SCL, SDA)

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • 重写次数:106次 / 字(Ta = +25°C)

  • 数据保存期:100年 (Ta = +25°C)

  • 存储器容量

    S-24C02D: 2 K位

    S-24C04D : 4 K位

    S-24C08D : 8 K位

    S-24C16D : 16 K位

  • 写入保护:100%

  • 首次出厂时数据:FFh

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S24C32C_64C_.pdf

S-24C32C

2线串行 EEPROM S-24C32C/64C(32K/64K位)

描述:

  • S-24C32C/64C是低消耗电流、宽工作电压范围的2线串行E2PROM。

  • 容量为32 K位、64 K位,构成为4096字×8位、8192字×8位。可进行页写入和顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 页写入功能:32字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 工作频率:400 kHz(Vcc = 1.6 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 噪声除去:备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子(SCL, SDA)

  • 低电源电压时禁止写入功能

  • 重写次数:106次 / 字(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时)

  • 存储器容量

    S-24C32C : 32 K位

    S-24C64C : 64 K位

  • 备有写入保护功能:100%

  • 首次出厂数据:FFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S24C32C_64C_.pdf

S-24C64C

2线串行 EEPROM S-24C32C/64C(32K/64K位)

描述:

  • S-24C32C/64C是低消耗电流、宽工作电压范围的2线串行E2PROM。

  • 容量为32 K位、64 K位,构成为4096字×8位、8192字×8位。可进行页写入和顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 页写入功能:32字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 工作频率:400 kHz(Vcc = 1.6 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 噪声除去:备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子(SCL, SDA)

  • 低电源电压时禁止写入功能

  • 重写次数:106次 / 字(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时)

  • 存储器容量

    S-24C32C : 32 K位

    S-24C64C : 64 K位

  • 备有写入保护功能:100%

  • 首次出厂数据:FFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S24C128C_.pdf

S-24C128C

2线串行 EEPROM S-24C128C(128K位)

描述:

  • S-24C128C是低消耗电流、宽工作电压范围的2线串行E2PROM。容量为128 K位,构成为16384字×8位。可进行页写入和顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时: 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 页写入功能:64字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 工作频率:400 kHz(Vcc = 1.6 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 噪声除去:备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子(SCL, SDA)

  • 低电源电压时禁止写入功能

  • 重写次数:106次 / 字(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时)

  • 存储器容量:128 K位

  • 备有写入保护功能:100%

  • 首次出厂数据:FFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S24C256C_.pdf

S-24C256C

2线串行 EEPROM S-24C256C (256K位)

描述:

  • S-24C256C是低消耗电流、宽工作电压范围的2线串行E2PROM。容量为256 K位,构成为32768字×8位。可进行页写入和顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 页写入功能 64字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 工作频率

    1.0 MHz(Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

    400 kHz(Vcc = 1.6 V ~ 2.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 噪声除去:备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子(SCL, SDA)

  • 低电源电压时禁止写入功能

  • 重写次数:106次 / 组(Ta =+25°C时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25°C时)

  • 存储器容量:256 K位

  • 备有写入保护功能:100%

  • 首次出厂数据:FFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S24C512C_.pdf

S-24C512C

2线串行 EEPROM S-24C512C (512K位)

描述:

  • S-24C512C是低消耗电流、宽工作电压范围的2线串行E2PROM。容量为512 K位,构成为65536字×8位。可进行页写入和顺序读出


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 页写入功能 128字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 工作频率

    1.0 MHz(Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

    400 kHz(Vcc = 1.6 V ~ 2.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 噪声除去:备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子(SCL, SDA)

  • 低电源电压时禁止写入功能

  • 重写次数:106次 / 组(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时)

  • 存储器容量:512 K位

  • 备有写入保护功能:100%

  • 首次出厂数据:FFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S24CM01C_.pdf

S-24CM01C

2线串行 EEPROM S-24CM01C (1M位)

描述:

  • S-24CM01C是低消耗电流、宽工作电压范围的2线串行E2PROM。容量为 1M位,构成为131072字×8位。可进行页写入和顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 页写入功能:256字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 工作频率

    1.0 MHz(Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

    400 kHz(Vcc = 1.6 V ~ 2.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 噪声除去:备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子(SCL, SDA)

  • 低电源电压时禁止写入功能

  • 重写次数:106次 / 组(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时)

  • 存储器容量:1M位

  • 备有写入保护功能:100%

  • 首次出厂数据:FFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S34C04A_.pdf

S-34C04A

2线串行EEPROM用于DIMM SPD S-34C04A

描述:

  • 本IC是可在1.7 V ~ 3.6 V范围内工作,用于DIMM SPD的2线串行EEPROM。容量为4 K位,构成是2页 × 256字 × 8位。可进行页写入、顺序读出。

  • 本IC可在最大1.0 MHz的I2C-bus下工作。


特点:

  • 页写入:16节 / 页

  • 顺序读出:电源电压低时的禁止写入功能

  • 写入保护:可按每4块 (128字节 / 块) 设置软件保护

  • 重写次数:106次 / 字 (Ta = +25℃)

  • 数据保存期:100年 (Ta = +25℃)

  • 存储器容量:4 K位

  • 首次出厂时数据:FFh

  • 遵从JEDEC规范:EE1004-1

  • 消耗电流

    待机模式 : 3.0 μA (最大值)

    读出模式 : 0.4 mA (最大值)

    写入模式 : 2.0 mA (最大值)

  • 工作电压范围:1.7 V ~ 3.6 V

  • 工作频率

    1.0 MHz (最大值) (Vdd = 2.2 V ~ 3.6 V)

    400 kHz (最大值) (Vdd = 1.7 V ~ 3.6 V)

  • 噪声除去:备有施密特触发器、带噪声滤波器输入端子 (SCL, SDA)

  • 工作温度范围:Ta = −20℃ ~ +125℃

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S25C010A_020A_040A_.pdf

S-25C010A

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C010A/020A/040A(1K/2K/4K位)

描述:

  • S-25C010A/020A/040A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的 SPI串行E2PROM。容量为1 K、2 K、4 K位,构成是128 × 8位、256 × 8位、 512 × 8位。可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时: 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时: 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:5.0 MHz(Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:4.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 页写入功能:16字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能:软件、硬件

  • 保护领域:25%, 50%, 100%

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时写入禁止功能

  • CMOS施密特输入(CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重写次数:106次/字(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时)

  • 存储器容量

    S-25C010A : 1K位

    S-25C020A : 2K位

    S-25C040A : 4K位

  • 首次出厂数据:FFh, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S25C010A_020A_040A_.pdf

S-25C020A

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C010A/020A/040A(1K/2K/4K位)

描述:

  • S-25C010A/020A/040A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的 SPI串行E2PROM。容量为1 K、2 K、4 K位,构成是128 × 8位、256 × 8位、 512 × 8位。可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时: 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时: 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:5.0 MHz(Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:4.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 页写入功能:16字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能:软件、硬件

  • 保护领域:25%, 50%, 100%

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时写入禁止功能

  • CMOS施密特输入(CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重写次数:106次/字(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时)

  • 存储器容量

    S-25C010A : 1K位

    S-25C020A : 2K位

    S-25C040A : 4K位

  • 首次出厂数据:FFh, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S25C010A_020A_040A_.pdf

S-25C040A

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C010A/020A/040A(1K/2K/4K位)

描述:

  • S-25C010A/020A/040A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的 SPI串行E2PROM。容量为1 K、2 K、4 K位,构成是128 × 8位、256 × 8位、 512 × 8位。可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时: 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时: 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:5.0 MHz(Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:4.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 页写入功能:16字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能:软件、硬件

  • 保护领域:25%, 50%, 100%

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时写入禁止功能

  • CMOS施密特输入(CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重写次数:106次/字(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时)

  • 存储器容量

    S-25C010A : 1K位

    S-25C020A : 2K位

    S-25C040A : 4K位

  • 首次出厂数据:FFh, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S25C080A_.pdf

S-25C080A

CMOS SPI 8K 串行EEPROM S-25C080A(8K位)

描述:

  • S-25C080A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的SPI 串行E2PROM。容量为8 K位,构成是1024字×8位。

  • 可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时: 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时: 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:5.0 MHz(Vcc = 2.5 ~ 5.5 V)

  • 写入时间:4.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 页写入功能:32字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能:软件、硬件

  • 保护领域:25%, 50%, 100%

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • CMOS施密特输入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重写次数:106次 / 字(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时)

  • 存储器容量:8 K位

  • 首次出厂数据:FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S25C160A_.pdf

S-25C160A

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C160A(16K位)

描述:

  • S-25C160A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的 SPI 串行 E2PROM。

  • 容量为16 K位,构成是2048字×8位。 可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时: 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时: 1.7 V ~ 5.5 V

  • 时钟频率:5.0 MHz(Vcc =2.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 页写入功能:32字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能:软件、硬件

  • 保护领域:25%, 50%, 100%

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • CMOS施密特输入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重写次数:106次/字(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(+25℃时)

  • 存储器容量:16 K位

  • 首次出厂数据:FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S25C320A_640A_.pdf

S-25C320A

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C320A/640A(32K/64K位)

描述:

  • S-25C320A/640A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的 SPI 串行 E2PROM。

  • 容量为32 K位、64 K位,构成为4096字×8位、8192字×8 位。可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时: 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时: 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:5.0 MHz(Vcc =2.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 页写入功能:32字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能:软件、硬件

  • 保护领域:25%, 50%, 100%

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • CMOS施密特输入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重写次数:106次 / 字(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时)

  • 存储器容量

    S-25C320A 32 K位

    S-25C640A 64 K位

  • 首次出厂数据:FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S25C320A_640A_.pdf

S-25C640A

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C320A/640A(32K/64K位)

描述:

  • S-25C320A/640A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的 SPI 串行 E2PROM。

  • 容量为32 K位、64 K位,构成为4096字×8位、8192字×8 位。可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时: 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时: 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:5.0 MHz(Vcc =2.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 页写入功能:32字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能:软件、硬件

  • 保护领域:25%, 50%, 100%

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • CMOS施密特输入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重写次数:106次 / 字(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时)

  • 存储器容量

    S-25C320A 32 K位

    S-25C640A 64 K位

  • 首次出厂数据:FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S25C128A_.pdf

S-25C128A

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C128A(128K位)

描述:

  • S-25C128A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的 SPI 串行 E2PROM。容量为128 K位,构成是16384字×8位。 可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 时钟频率:5.0 MHz(Vcc =2.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 页写入功能:64字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能

    软件、硬件

    25%, 50%, 100%

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • CMOS施密特输入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重写次数:106次 / 字(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时)

  • 存储器容量:128 K位

  • 首次出厂数据:FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S25C256A_.pdf

S-25C256A

SPI 串行EEPROM S-25C256A (256K位)

描述:

  • S-25C256A系列是高速、低消耗电流、宽工作电压范围的SPI串行E2PROM。容量为256 K位,构成是32768字×8位。可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:10.0 MHz(Vcc =2.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 页写入功能:64字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能:软件、硬件

  • 保护领域:25%, 50%, 100%

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • CMOS施密特输入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重写次数:106次 / 组(Ta =+25°C时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25°C时)

  • 存储器容量:256 K位

  • 首次出厂数据:FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S25C512A_.pdf

S-25C512A

SPI 串行EEPROM S-25C512A (512K位)

描述:

  • S-25C512A系列是高速、低消耗电流、宽工作电压范围的SPI串行E2PROM。容量为512 K位,构成是65536字×8位。可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:10.0 MHz(Vcc =2.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 页写入功能:128字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能:软件、硬件

  • 保护领域:25%, 50%, 100%

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • CMOS施密特输入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重写次数:106次 / 组(Ta =+25°C时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25°C时)

  • 存储器容量:512 K位

  • 首次出厂数据:FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S25CM01A_.pdf

S-25CM01A

SPI 串行EEPROM S-25CM01A (1M位)

描述:

  • S-25CM01A系列是高速、低消耗电流、宽工作电压范围的SPI串行E2PROM。

  • 容量为1 M位,构成是131072字×8位。可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:10.0 MHz( Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms ( 最大值 )

  • 支持SPI模式( 0, 0 )&( 1, 1 )

  • 页写入功能:256字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能:软件、硬件

  • 保护领域:25%, 50%, 100%

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • CMOS施密特输入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重写次数:106次 / 组( Ta = +25°C时)

  • 数据保存期:100年( Ta = +25°C时)

  • 存储器容量:1 M位

  • 首次出厂数据:FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素