3线串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C

描述：

• 本IC是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行EEPROM。容量分别为1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位，构成分别 为64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以连续读出，这时的地址会按每16位自 动地增量。通讯方式为Microwire方式。

特点：

• 存储器容量

  S-93C46C : 1 K位 (64字 ×16位)

  S-93C56C : 2 K位 (128字 ×16位)

  S-93C66C : 4 K位 (256字 ×16位)

  S-93C76C : 8 K位 (512字 ×16位) (开发中)

  S-93C86C : 16 K位 (1024字 ×16位) (开发中)

• 工作电压范围

  读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

  写入时 : 1.8 V ~ 5.5 V

• 工作频率：2.0 MHz (最大值)

• 写入时间：4.0 ms (最大值)

• 顺序读出功能

• 电源电压低时禁止写入功能

• 指令误识别的防止写入功能

• 重写次数：106 次 / 字(Ta = +85°C)

• 数据保存期

  100年 (Ta = +25°C)

  50年 (Ta = +85°C)

• 首次出厂时数据：FFFFh

• 工作温度范围：Ta = -40°C ~ +85°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

3线串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C

描述：

• 本IC是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行EEPROM。容量分别为1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位，构成分别 为64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以连续读出，这时的地址会按每16位自 动地增量。通讯方式为Microwire方式。

特点：

• 存储器容量

  S-93C46C : 1 K位 (64字 ×16位)

  S-93C56C : 2 K位 (128字 ×16位)

  S-93C66C : 4 K位 (256字 ×16位)

  S-93C76C : 8 K位 (512字 ×16位) (开发中)

  S-93C86C : 16 K位 (1024字 ×16位) (开发中)

• 工作电压范围

  读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

  写入时 : 1.8 V ~ 5.5 V

• 工作频率：2.0 MHz (最大值)

• 写入时间：4.0 ms (最大值)

• 顺序读出功能

• 电源电压低时禁止写入功能

• 指令误识别的防止写入功能

• 重写次数：106 次 / 字(Ta = +85°C)

• 数据保存期

  100年 (Ta = +25°C)

  50年 (Ta = +85°C)

• 首次出厂时数据：FFFFh

• 工作温度范围：Ta = −40°C ~ +85°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

3线串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C

描述：

• 本IC是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行EEPROM。容量分别为1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位，构成分别 为64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以连续读出，这时的地址会按每16位自 动地增量。通讯方式为Microwire方式。

特点：

• 存储器容量

  S-93C46C : 1 K位 (64字 ×16位)

  S-93C56C : 2 K位 (128字 ×16位)

  S-93C66C : 4 K位 (256字 ×16位)

  S-93C76C : 8 K位 (512字 ×16位) (开发中)

  S-93C86C : 16 K位 (1024字 ×16位) (开发中)

• 工作电压范围

  读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

  写入时 : 1.8 V ~ 5.5 V

• 工作频率：2.0 MHz (最大值)

• 写入时间：4.0 ms (最大值)

• 顺序读出功能

• 电源电压低时禁止写入功能

• 指令误识别的防止写入功能

• 重写次数：106 次 / 字(Ta = +85°C)

• 数据保存期

  100年 (Ta = +25°C)

  50年 (Ta = +85°C)

• 首次出厂时数据：FFFFh

• 工作温度范围：Ta = -40°C ~ +85°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

3线串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C

描述：

• 本IC是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行EEPROM。容量分别为1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位，构成分别 为64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以连续读出，这时的地址会按每16位自 动地增量。通讯方式为Microwire方式。

特点：

• 存储器容量

  S-93C46C : 1 K位 (64字 ×16位)

  S-93C56C : 2 K位 (128字 ×16位)

  S-93C66C : 4 K位 (256字 ×16位)

  S-93C76C : 8 K位 (512字 ×16位) (开发中)

  S-93C86C : 16 K位 (1024字 ×16位) (开发中)

• 工作电压范围

  读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

  写入时 : 1.8 V ~ 5.5 V

• 工作频率：2.0 MHz (最大值)

• 写入时间：4.0 ms (最大值)

• 顺序读出功能

• 电源电压低时禁止写入功能

• 指令误识别的防止写入功能

• 重写次数：106 次 / 字(Ta = +85°C)

• 数据保存期

  100年 (Ta = +25°C)

  50年 (Ta = +85°C)

• 首次出厂时数据：FFFFh

• 工作温度范围：Ta = -40°C ~ +85°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

3线串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C

描述：

• 本IC是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行EEPROM。容量分别为1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位，构成分别 为64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以连续读出，这时的地址会按每16位自 动地增量。通讯方式为Microwire方式。

特点：

• 存储器容量

  S-93C46C : 1 K位 (64字 ×16位)

  S-93C56C : 2 K位 (128字 ×16位)

  S-93C66C : 4 K位 (256字 ×16位)

  S-93C76C : 8 K位 (512字 ×16位) (开发中)

  S-93C86C : 16 K位 (1024字 ×16位) (开发中)

• 工作电压范围

  读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

  写入时 : 1.8 V ~ 5.5 V

• 工作频率：2.0 MHz (最大值)

• 写入时间：4.0 ms (最大值)

• 顺序读出功能

• 电源电压低时禁止写入功能

• 指令误识别的防止写入功能

• 重写次数：106 次 / 字(Ta = +85°C)

• 数据保存期

  100年 (Ta = +25°C)

  50年 (Ta = +85°C)

• 首次出厂时数据：FFFFh

• 工作温度范围：Ta = -40°C ~ +85°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

3线串行 EEPROM S-93C46B/56B/66B(1K/2K/4K位)

描述：

• S-93C46B/56B/66B是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行E2PROM。

• 容量有1 K、2 K及4 K位,构成分别是 64字 ×16位、128字 × 16位及256字 × 16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自动地增量。

• 通讯方式为Microwire方式。

特点：

• 工作电压范围

  读出：1.8 V ～ 5.5 V

  写入：2.7 V ～ 5.5 V

• 工作频率：2.0 MHz（Vcc = 4.5 V ~ 5.5 V）

• 写入时间：8.0 ms (最大值)

• 可以连续读出

• 电源电压低时写入禁止功能

• 指令误识别的写入防止功能

• 重写次数：106次 / 字 (Ta =+85℃时)

• 数据保存期

  100年（Ta =+25℃时）

  20年（Ta =+85℃时）

• 存储器容量

  S-93C46B ：1 K位

  S-93C56B ：2 K位

  S-93C66B ：4 K位

• 首次出厂数据：FFFFh

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

3线串行 EEPROM S-93C46B/56B/66B(1K/2K/4K位)

描述：

• S-93C46B/56B/66B是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行E2PROM。

• 容量有1 K、2 K及4 K位,构成分别是 64字 ×16位、128字 × 16位及256字 × 16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自动地增量。

• 通讯方式为Microwire方式。

特点：

• 工作电压范围

  读出：1.8 V ～ 5.5 V

  写入：2.7 V ～ 5.5 V

• 工作频率：2.0 MHz（Vcc = 4.5 V ~ 5.5 V）

• 写入时间：8.0 ms (最大值)

• 可以连续读出

• 电源电压低时写入禁止功能

• 指令误识别的写入防止功能

• 重写次数：106次 / 字 (Ta =+85℃时)

• 数据保存期

  100年（Ta =+25℃时）

  20年（Ta =+85℃时）

• 存储器容量

  S-93C46B ：1 K位

  S-93C56B ：2 K位

  S-93C66B ：4 K位

• 首次出厂数据：FFFFh

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

3线串行 EEPROM S-93C46B/56B/66B(1K/2K/4K位)

描述：

S-93C46B/56B/66B是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行E2PROM。

容量有1 K、2 K及4 K位,构成分别是 64字 ×16位、128字 × 16位及256字 × 16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自动地增量。

通讯方式为Microwire方式。

特点：

• 工作电压范围

  读出：1.8 V ～ 5.5 V

  写入：2.7 V ～ 5.5 V

• 工作频率：2.0 MHz（Vcc = 4.5 V ~ 5.5 V）

• 写入时间：8.0 ms (最大值)

• 可以连续读出

• 电源电压低时写入禁止功能

• 指令误识别的写入防止功能

• 重写次数：106次 / 字 (Ta =+85℃时)

• 数据保存期

  100年（Ta =+25℃时）

  20年（Ta =+85℃时）

• 存储器容量

  S-93C46B ：1 K位

  S-93C56B ：2 K位

  S-93C66B ：4 K位

• 首次出厂数据：FFFFh

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

3线串行 EEPROM S-93C76A(8K位)

描述：

• S-93C76A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行E2PROM。容量为8 K位，构成为512字×16位。可以连续读出，这时的地址会按每16位自动地增量。

• 通讯方式为Microwire方式。

特点：

• 工作电压范围

  读出：1.8 v ～ 5.5 V

  写入：2.7 V ～ 5.5 V

• 工作频率：2.0 MHz（Vcc = 4.5 V ~ 5.5 V）

• 写入时间：10.0 ms (最大值)

• 可以连续读出

• 电源电压低时写入禁止功能

• 重写次数：106次/字 (Ta =+85℃时)

• 数据保存期：100年（Ta =+25℃时）, 20年（Ta =+85℃时）

• 存储器容量：8 K位

• 首次出厂数据：FFFFh

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

3线串行 EEPROM S-93C86B(16K位)

描述：

• S-93C86B是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行E2PROM。容量为16 K位，构成为1024字×16位。可以连续读出，这时的地址会按每16位自动地增量。

• 通讯方式为Microwire方式。

特点：

• 工作电压范围

  读出： 1.8V ～ 5.5 V

  写入： 2.7V ～ 5.5 V

• 工作频率：2.0 MHz（Vcc = 4.5V ~ 5.5 V）

• 写入时间：4.0 ms (最大值)

• 可连续读出

• 电源电压低时写入禁止功能

• 指令误识别时写入防止功能

• 重写次数：106次 / 字 (Ta =+85℃时)

• 数据保存期

  100年（Ta =+25℃时）

  20年（Ta =+85℃时）

• 存储器容量：16 K位

• 首次出厂数据：FFFFh

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

低电压工作3线串行 EEPROM S-93L46A/56A/66A(1K/2K/4K位)

描述：

• S-93L46A/56A/66A是低电压工作、高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行E2PROM。容量有1 K、2 K及4 K位，构成分别是64字×16位、128字×16位及256字×16位。可以连续读出，这时的地址会按每16位自动地增量。

• 通讯方式为Microwire方式。

特点：

• 工作电压范围

  读出：1.6V ～ 5.5 V

  写入：1.8 V～ 5.5 V (WRITE, ERASE), 2.7V ~ 5.5 V (WRAL, ERAL)

• 工作频率：2.0 MHz（Vcc =4.5 V ~ 5.5 V）

• 写入时间：8.0 ms (最大值)

• 可以连续读出

• 电源电压低时写入禁止功能

• 指令误识别时写入防止功能

• 重写次数：106次 / 字 (Ta =+85℃时)

• 数据保存期

  100年（Ta =+25℃时）

  20年（Ta =+85℃时）

• 存储器容量

  S-93L46A ：1 K位

  S-93L56A ：2 K位

  S-93L66A ：4 K位

• 首次出厂数据：FFFFh

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

低电压工作3线串行 EEPROM S-93L46A/56A/66A(1K/2K/4K位)

描述：

• S-93L46A/56A/66A是低电压工作、高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行E2PROM。容量有1 K、2 K及4 K位，构成分别是64字×16位、128字×16位及256字×16位。可以连续读出，这时的地址会按每16位自动地增量。

• 通讯方式为Microwire方式。

特点：

• 工作电压范围

  读出：1.6V ～ 5.5 V

  写入：1.8 V～ 5.5 V (WRITE, ERASE), 2.7V ~ 5.5 V (WRAL, ERAL)

• 工作频率：2.0 MHz（Vcc =4.5 V ~ 5.5 V）

• 写入时间：8.0 ms (最大值)

• 可以连续读出

• 电源电压低时写入禁止功能

• 指令误识别时写入防止功能

• 重写次数：106次 / 字 (Ta =+85℃时)

• 数据保存期

  100年（Ta =+25℃时）

  20年（Ta =+85℃时）

• 存储器容量

  S-93L46A ：1 K位

  S-93L56A ：2 K位

  S-93L66A ：4 K位

• 首次出厂数据：FFFFh

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

低电压工作3线串行 EEPROM S-93L46A/56A/66A(1K/2K/4K位)

描述：

• S-93L46A/56A/66A是低电压工作、高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行E2PROM。容量有1 K、2 K及4 K位，构成分别是64字×16位、128字×16位及256字×16位。可以连续读出，这时的地址会按每16位自动地增量。

• 通讯方式为Microwire方式。

特点：

• 工作电压范围

  读出：1.6V ～ 5.5 V

  写入：1.8 V～ 5.5 V (WRITE, ERASE), 2.7V ~ 5.5 V (WRAL, ERAL)

• 工作频率：2.0 MHz（Vcc =4.5 V ~ 5.5 V）

• 写入时间：8.0 ms (最大值)

• 可以连续读出

• 电源电压低时写入禁止功能

• 指令误识别时写入防止功能

• 重写次数：106次 / 字 (Ta =+85℃时)

• 数据保存期

  100年（Ta =+25℃时）

  20年（Ta =+85℃时）

• 存储器容量

  S-93L46A ：1 K位

  S-93L56A ：2 K位

  S-93L66A ：4 K位

• 首次出厂数据：FFFFh

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

低电压工作 3线串行 EEPROM S-93L76A(8K位)

描述：

• S-93L76A是低电压工作、高速、低消耗电流和宽工作电压范围的串行3线E2PROM。容量为8 K位，构成为512字×16位。可以连续读出，这时的地址会按每16位自动地增量。

• 通讯方式为Microwire方式。

特点：

• 工作电压范围

  读出：1.6 V ～ 5.5 V

  写入：1.8 V ～ 5.5 V(WRITE, ERASE), 2.7 ～ 5.5 V(WRAL, ERAL)

• 工作频率：2.0 MHz（Vcc =4.5 V ~ 5.5 V）

• 写入时间：10.0 ms (最大值)

• 可以连续读出：电源电压低时写入禁止功能

• 重写次数：106次 / 字 (Ta = +85℃时)

• 数据保存期

  100年（Ta = +25℃时）

  20年（Ta = +85℃时）

• 存储器容量：8 K位

• 首次出厂数据：FFFFh

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

2线串行EEPROM S-24C02D/04D/08D/16D (2K/4K/8K/16K 位)

描述：

• 本IC是消耗电流低、工作电压范围广的2线串行EEPROM。容量为2 K位、4 K位、8 K位、16K位，构成为256字× 8位、512字× 8位、1024字× 8位、2048字× 8位。可进行页写入和顺序读出。

特点：

• 工作电压范围

  读出时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作频率

  1.0 MHz (最大值) (Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

  400 kHz (最大值) (Vcc = 1.7 V ~ 5.5 V)

• 写入时间：5.0 ms (最大值)

• 页写入功能

  S-24C02D : 8节 / 页

  S-24C04D : 16节 / 页

  S-24C08D : 16节 / 页

  S-24C16D : 16节 / 页

• 顺序读出功能

• 噪声除去：备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子 (SCL, SDA)

• 电源电压低时的禁止写入功能

• 重写次数：106次 / 字(Ta = +25°C)

• 数据保存期：100年 (Ta = +25°C)

• 存储器容量

  S-24C02D: 2 K位

  S-24C04D : 4 K位

  S-24C08D : 8 K位

  S-24C16D : 16 K位

• 写入保护：100%

• 首次出厂时数据：FFh

• 工作温度范围：Ta = -40°C ~ +85°C

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

2线串行EEPROM S-24C02D/04D/08D/16D (2K/4K/8K/16K 位)

描述：

• 本IC是消耗电流低、工作电压范围广的2线串行EEPROM。容量为2 K位、4 K位、8 K位、16K位，构成为256字× 8位、512字× 8位、1024字× 8位、2048字× 8位。可进行页写入和顺序读出。

特点：

• 工作电压范围

  读出时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作频率

  1.0 MHz (最大值) (Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

  400 kHz (最大值) (Vcc = 1.7 V ~ 5.5 V)

• 写入时间：5.0 ms (最大值)

• 页写入功能

  S-24C02D : 8节 / 页

  S-24C04D : 16节 / 页

  S-24C08D : 16节 / 页

  S-24C16D : 16节 / 页

• 顺序读出功能

• 噪声除去：备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子 (SCL, SDA)

• 电源电压低时的禁止写入功能

• 重写次数：106次 / 字(Ta = +25°C)

• 数据保存期：100年 (Ta = +25°C)

• 存储器容量

  S-24C02D: 2 K位

  S-24C04D : 4 K位

  S-24C08D : 8 K位

  S-24C16D : 16 K位

• 写入保护：100%

• 首次出厂时数据：FFh

• 工作温度范围：Ta = -40°C ~ +85°C

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

2线串行EEPROM S-24C02D/04D/08D/16D (2K/4K/8K/16K 位)

描述：

• 本IC是消耗电流低、工作电压范围广的2线串行EEPROM。容量为2 K位、4 K位、8 K位、16K位，构成为256字× 8位、512字× 8位、1024字× 8位、2048字× 8位。可进行页写入和顺序读出。

特点：

• 工作电压范围

  读出时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作频率

  1.0 MHz (最大值) (Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

  400 kHz (最大值) (Vcc = 1.7 V ~ 5.5 V)

• 写入时间：5.0 ms (最大值)

• 页写入功能

  S-24C02D : 8节 / 页

  S-24C04D : 16节 / 页

  S-24C08D : 16节 / 页

  S-24C16D : 16节 / 页

• 顺序读出功能

• 噪声除去：备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子 (SCL, SDA)

• 电源电压低时的禁止写入功能

• 重写次数：106次 / 字(Ta = +25°C)

• 数据保存期：100年 (Ta = +25°C)

• 存储器容量

  S-24C02D: 2 K位

  S-24C04D : 4 K位

  S-24C08D : 8 K位

  S-24C16D : 16 K位

• 写入保护：100%

• 首次出厂时数据：FFh

• 工作温度范围：Ta = -40°C ~ +85°C

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

2线串行EEPROM S-24C02D/04D/08D/16D (2K/4K/8K/16K 位)

描述：

• 本IC是消耗电流低、工作电压范围广的2线串行EEPROM。容量为2 K位、4 K位、8 K位、16K位，构成为256字× 8位、512字× 8位、1024字× 8位、2048字× 8位。可进行页写入和顺序读出。

特点：

• 工作电压范围

  读出时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作频率

  1.0 MHz (最大值) (Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

  400 kHz (最大值) (Vcc = 1.7 V ~ 5.5 V)

• 写入时间：5.0 ms (最大值)

• 页写入功能

  S-24C02D : 8节 / 页

  S-24C04D : 16节 / 页

  S-24C08D : 16节 / 页

  S-24C16D : 16节 / 页

• 顺序读出功能

• 噪声除去：备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子 (SCL, SDA)

• 电源电压低时的禁止写入功能

• 重写次数：106次 / 字(Ta = +25°C)

• 数据保存期：100年 (Ta = +25°C)

• 存储器容量

  S-24C02D: 2 K位

  S-24C04D : 4 K位

  S-24C08D : 8 K位

  S-24C16D : 16 K位

• 写入保护：100%

• 首次出厂时数据：FFh

• 工作温度范围：Ta = -40°C ~ +85°C

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

2线串行 EEPROM S-24C32C/64C(32K/64K位)

描述：

• S-24C32C/64C是低消耗电流、宽工作电压范围的2线串行E2PROM。

• 容量为32 K位、64 K位，构成为4096字×8位、8192字×8位。可进行页写入和顺序读出。

特点：

• 工作电压范围

  读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

  写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 页写入功能：32字节 / 页

• 顺序读出功能

• 工作频率：400 kHz（Vcc = 1.6 V ~ 5.5 V）

• 写入时间：5.0 ms (最大值)

• 噪声除去：备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子（SCL, SDA）

• 低电源电压时禁止写入功能

• 重写次数：106次 / 字（Ta =＋25℃时）

• 数据保存期：100年（Ta =＋25℃时）

• 存储器容量

  S-24C32C : 32 K位

  S-24C64C : 64 K位

• 备有写入保护功能：100%

• 首次出厂数据：FFh

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

2线串行 EEPROM S-24C32C/64C(32K/64K位)

描述：

• S-24C32C/64C是低消耗电流、宽工作电压范围的2线串行E2PROM。

• 容量为32 K位、64 K位，构成为4096字×8位、8192字×8位。可进行页写入和顺序读出。

特点：

• 工作电压范围

  读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

  写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 页写入功能：32字节 / 页

• 顺序读出功能

• 工作频率：400 kHz（Vcc = 1.6 V ~ 5.5 V）

• 写入时间：5.0 ms (最大值)

• 噪声除去：备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子（SCL, SDA）

• 低电源电压时禁止写入功能

• 重写次数：106次 / 字（Ta =＋25℃时）

• 数据保存期：100年（Ta =＋25℃时）

• 存储器容量

  S-24C32C : 32 K位

  S-24C64C : 64 K位

• 备有写入保护功能：100%

• 首次出厂数据：FFh

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

2线串行 EEPROM S-24C128C(128K位)

描述：

• S-24C128C是低消耗电流、宽工作电压范围的2线串行E2PROM。容量为128 K位，构成为16384字×8位。可进行页写入和顺序读出。

特点：

• 工作电压范围

  读出时: 1.6 V ~ 5.5 V

  写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 页写入功能：64字节 / 页

• 顺序读出功能

• 工作频率：400 kHz（Vcc = 1.6 V ~ 5.5 V）

• 写入时间：5.0 ms (最大值)

• 噪声除去：备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子（SCL, SDA）

• 低电源电压时禁止写入功能

• 重写次数：106次 / 字（Ta =＋25℃时）

• 数据保存期：100年（Ta =＋25℃时）

• 存储器容量：128 K位

• 备有写入保护功能：100%

• 首次出厂数据：FFh

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

2线串行 EEPROM S-24C256C (256K位)

描述：

• S-24C256C是低消耗电流、宽工作电压范围的2线串行E2PROM。容量为256 K位，构成为32768字×8位。可进行页写入和顺序读出。

特点：

• 工作电压范围

  读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

  写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 页写入功能 64字节 / 页

• 顺序读出功能

• 工作频率

  1.0 MHz（Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V）

  400 kHz（Vcc = 1.6 V ~ 2.5 V）

• 写入时间：5.0 ms (最大值)

• 噪声除去：备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子（SCL, SDA）

• 低电源电压时禁止写入功能

• 重写次数：106次 / 组（Ta =＋25°C时）

• 数据保存期：100年（Ta =＋25°C时）

• 存储器容量：256 K位

• 备有写入保护功能：100%

• 首次出厂数据：FFh

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

2线串行 EEPROM S-24C512C (512K位)

描述：

• S-24C512C是低消耗电流、宽工作电压范围的2线串行E2PROM。容量为512 K位，构成为65536字×8位。可进行页写入和顺序读出

  
  

特点：

• 工作电压范围

  读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

  写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 页写入功能 128字节 / 页

• 顺序读出功能

• 工作频率

  1.0 MHz（Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V）

  400 kHz（Vcc = 1.6 V ~ 2.5 V）

• 写入时间：5.0 ms (最大值)

• 噪声除去：备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子（SCL, SDA）

• 低电源电压时禁止写入功能

• 重写次数：106次 / 组（Ta =＋25℃时）

• 数据保存期：100年（Ta =＋25℃时）

• 存储器容量：512 K位

• 备有写入保护功能：100%

• 首次出厂数据：FFh

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

2线串行 EEPROM S-24CM01C (1M位)

描述：

• S-24CM01C是低消耗电流、宽工作电压范围的2线串行E2PROM。容量为 1M位，构成为131072字×8位。可进行页写入和顺序读出。

特点：

• 工作电压范围

  读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

  写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 页写入功能：256字节 / 页

• 顺序读出功能

• 工作频率

  1.0 MHz（Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V）

  400 kHz（Vcc = 1.6 V ~ 2.5 V）

• 写入时间：5.0 ms (最大值)

• 噪声除去：备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子（SCL, SDA）

• 低电源电压时禁止写入功能

• 重写次数：106次 / 组（Ta =＋25℃时）

• 数据保存期：100年（Ta =＋25℃时）

• 存储器容量：1M位

• 备有写入保护功能：100%

• 首次出厂数据：FFh

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

2线串行EEPROM用于DIMM SPD S-34C04A

描述：

• 本IC是可在1.7 V ~ 3.6 V范围内工作，用于DIMM SPD的2线串行EEPROM。容量为4 K位，构成是2页 × 256字 × 8位。可进行页写入、顺序读出。

• 本IC可在最大1.0 MHz的I2C-bus下工作。

特点：

• 页写入：16节 / 页

• 顺序读出：电源电压低时的禁止写入功能

• 写入保护：可按每4块 (128字节 / 块) 设置软件保护

• 重写次数：106次 / 字 (Ta = +25℃)

• 数据保存期：100年 (Ta = +25℃)

• 存储器容量：4 K位

• 首次出厂时数据：FFh

• 遵从JEDEC规范：EE1004-1

• 消耗电流

  待机模式 : 3.0 μA (最大值)

  读出模式 : 0.4 mA (最大值)

  写入模式 : 2.0 mA (最大值)

• 工作电压范围：1.7 V ~ 3.6 V

• 工作频率

  1.0 MHz (最大值) (Vdd = 2.2 V ~ 3.6 V)

  400 kHz (最大值) (Vdd = 1.7 V ~ 3.6 V)

• 噪声除去：备有施密特触发器、带噪声滤波器输入端子 (SCL, SDA)

• 工作温度范围：Ta = −20℃ ~ +125℃

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C010A/020A/040A(1K/2K/4K位)

描述：

• S-25C010A/020A/040A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的 SPI串行E2PROM。容量为1 K、2 K、4 K位，构成是128 × 8位、256 × 8位、 512 × 8位。可进行页写入、顺序读出。

特点：

• 工作电压范围

  读出时： 1.6 V ~ 5.5 V

  写入时： 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作频率：5.0 MHz（Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V）

• 写入时间：4.0 ms (最大值)

• 支持SPI模式（0, 0）&（1, 1）

• 页写入功能：16字节 / 页

• 顺序读出功能

• 写入保护功能：软件、硬件

• 保护领域：25％, 50％, 100％

• 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

• 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

• 电源电压低时写入禁止功能

• CMOS施密特输入（CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

• 重写次数：106次/字（Ta =＋25℃时）

• 数据保存期：100年（Ta =＋25℃时）

• 存储器容量

  S-25C010A : 1K位

  S-25C020A : 2K位

  S-25C040A : 4K位

• 首次出厂数据：FFh, BP1 = 0, BP0 = 0

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C010A/020A/040A(1K/2K/4K位)

描述：

• S-25C010A/020A/040A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的 SPI串行E2PROM。容量为1 K、2 K、4 K位，构成是128 × 8位、256 × 8位、 512 × 8位。可进行页写入、顺序读出。

特点：

• 工作电压范围

  读出时： 1.6 V ~ 5.5 V

  写入时： 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作频率：5.0 MHz（Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V）

• 写入时间：4.0 ms (最大值)

• 支持SPI模式（0, 0）&（1, 1）

• 页写入功能：16字节 / 页

• 顺序读出功能

• 写入保护功能：软件、硬件

• 保护领域：25％, 50％, 100％

• 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

• 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

• 电源电压低时写入禁止功能

• CMOS施密特输入（CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

• 重写次数：106次/字（Ta =＋25℃时）

• 数据保存期：100年（Ta =＋25℃时）

• 存储器容量

  S-25C010A : 1K位

  S-25C020A : 2K位

  S-25C040A : 4K位

• 首次出厂数据：FFh, BP1 = 0, BP0 = 0

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C010A/020A/040A(1K/2K/4K位)

描述：

• S-25C010A/020A/040A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的 SPI串行E2PROM。容量为1 K、2 K、4 K位，构成是128 × 8位、256 × 8位、 512 × 8位。可进行页写入、顺序读出。

特点：

• 工作电压范围

  读出时： 1.6 V ~ 5.5 V

  写入时： 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作频率：5.0 MHz（Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V）

• 写入时间：4.0 ms (最大值)

• 支持SPI模式（0, 0）&（1, 1）

• 页写入功能：16字节 / 页

• 顺序读出功能

• 写入保护功能：软件、硬件

• 保护领域：25％, 50％, 100％

• 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

• 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

• 电源电压低时写入禁止功能

• CMOS施密特输入（CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

• 重写次数：106次/字（Ta =＋25℃时）

• 数据保存期：100年（Ta =＋25℃时）

• 存储器容量

  S-25C010A : 1K位

  S-25C020A : 2K位

  S-25C040A : 4K位

• 首次出厂数据：FFh, BP1 = 0, BP0 = 0

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

CMOS SPI 8K 串行EEPROM S-25C080A(8K位)

描述：

• S-25C080A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的SPI 串行E2PROM。容量为8 K位，构成是1024字×8位。

• 可进行页写入、顺序读出。

特点：

• 工作电压范围

  读出时： 1.6 V ~ 5.5 V

  写入时： 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作频率：5.0 MHz（Vcc = 2.5 ~ 5.5 V）

• 写入时间：4.0 ms (最大值)

• 支持SPI模式（0, 0）&（1, 1）

• 页写入功能：32字节 / 页

• 顺序读出功能

• 写入保护功能：软件、硬件

• 保护领域：25%, 50%, 100%

• 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

• 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

• 电源电压低时的禁止写入功能

• CMOS施密特输入（ CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

• 重写次数：106次 / 字（Ta =＋25℃时）

• 数据保存期：100年（Ta =＋25℃时）

• 存储器容量：8 K位

• 首次出厂数据：FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C160A(16K位)

描述：

• S-25C160A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的 SPI 串行 E2PROM。

• 容量为16 K位，构成是2048字×8位。 可进行页写入、顺序读出。

特点：

• 工作电压范围

  读出时： 1.6 V ~ 5.5 V

  写入时： 1.7 V ~ 5.5 V

• 时钟频率：5.0 MHz（Vcc =2.5 V ~ 5.5 V）

• 写入时间：5.0 ms (最大值)

• 支持SPI模式（0, 0）&（1, 1）

• 页写入功能：32字节 / 页

• 顺序读出功能

• 写入保护功能：软件、硬件

• 保护领域：25%, 50%, 100%

• 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

• 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

• 电源电压低时的禁止写入功能

• CMOS施密特输入（ CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

• 重写次数：106次/字（Ta =＋25℃时）

• 数据保存期：100年（＋25℃时）

• 存储器容量：16 K位

• 首次出厂数据：FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C320A/640A(32K/64K位)

描述：

• S-25C320A/640A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的 SPI 串行 E2PROM。

• 容量为32 K位、64 K位，构成为4096字×8位、8192字×8 位。可进行页写入、顺序读出。

特点：

• 工作电压范围

  读出时： 1.6 V ~ 5.5 V

  写入时： 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作频率：5.0 MHz（Vcc =2.5 V ~ 5.5 V）

• 写入时间：5.0 ms (最大值)

• 支持SPI模式（0, 0）&（1, 1）

• 页写入功能：32字节 / 页

• 顺序读出功能

• 写入保护功能：软件、硬件

• 保护领域：25%, 50%, 100%

• 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

• 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

• 电源电压低时的禁止写入功能

• CMOS施密特输入（ CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

• 重写次数：106次 / 字（Ta =＋25℃时）

• 数据保存期：100年（Ta =＋25℃时）

• 存储器容量

  S-25C320A 32 K位

  S-25C640A 64 K位

• 首次出厂数据：FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C320A/640A(32K/64K位)

描述：

• S-25C320A/640A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的 SPI 串行 E2PROM。

• 容量为32 K位、64 K位，构成为4096字×8位、8192字×8 位。可进行页写入、顺序读出。

特点：

• 工作电压范围

  读出时： 1.6 V ~ 5.5 V

  写入时： 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作频率：5.0 MHz（Vcc =2.5 V ~ 5.5 V）

• 写入时间：5.0 ms (最大值)

• 支持SPI模式（0, 0）&（1, 1）

• 页写入功能：32字节 / 页

• 顺序读出功能

• 写入保护功能：软件、硬件

• 保护领域：25%, 50%, 100%

• 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

• 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

• 电源电压低时的禁止写入功能

• CMOS施密特输入（ CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

• 重写次数：106次 / 字（Ta =＋25℃时）

• 数据保存期：100年（Ta =＋25℃时）

• 存储器容量

  S-25C320A 32 K位

  S-25C640A 64 K位

• 首次出厂数据：FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C128A(128K位)

描述：

• S-25C128A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的 SPI 串行 E2PROM。容量为128 K位，构成是16384字×8位。 可进行页写入、顺序读出。

特点：

• 工作电压范围

  读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

  写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 时钟频率：5.0 MHz（Vcc =2.5 V ~ 5.5 V）

• 写入时间：5.0 ms (最大值)

• 支持SPI模式（0, 0）&（1, 1）

• 页写入功能：64字节 / 页

• 顺序读出功能

• 写入保护功能

  软件、硬件

  25%, 50%, 100%

• 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

• 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

• 电源电压低时的禁止写入功能

• CMOS施密特输入（ CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

• 重写次数：106次 / 字（Ta =＋25℃时）

• 数据保存期：100年（Ta =＋25℃时）

• 存储器容量：128 K位

• 首次出厂数据：FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

SPI 串行EEPROM S-25C256A (256K位)

描述：

• S-25C256A系列是高速、低消耗电流、宽工作电压范围的SPI串行E2PROM。容量为256 K位，构成是32768字×8位。可进行页写入、顺序读出。

特点：

• 工作电压范围

  读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

  写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作频率：10.0 MHz（Vcc =2.5 V ~ 5.5 V）

• 写入时间：5.0 ms (最大值)

• 支持SPI模式（0, 0）&（1, 1）

• 页写入功能：64字节 / 页

• 顺序读出功能

• 写入保护功能：软件、硬件

• 保护领域：25%, 50%, 100%

• 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

• 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

• 电源电压低时的禁止写入功能

• CMOS施密特输入（ CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

• 重写次数：106次 / 组（Ta =＋25°C时）

• 数据保存期：100年（Ta =＋25°C时）

• 存储器容量：256 K位

• 首次出厂数据：FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

SPI 串行EEPROM S-25C512A (512K位)

描述：

• S-25C512A系列是高速、低消耗电流、宽工作电压范围的SPI串行E2PROM。容量为512 K位，构成是65536字×8位。可进行页写入、顺序读出。

特点：

• 工作电压范围

  读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

  写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作频率：10.0 MHz（Vcc =2.5 V ~ 5.5 V）

• 写入时间：5.0 ms (最大值)

• 支持SPI模式（0, 0）&（1, 1）

• 页写入功能：128字节 / 页

• 顺序读出功能

• 写入保护功能：软件、硬件

• 保护领域：25%, 50%, 100%

• 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

• 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

• 电源电压低时的禁止写入功能

• CMOS施密特输入（ CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

• 重写次数：106次 / 组（Ta =＋25°C时）

• 数据保存期：100年（Ta =＋25°C时）

• 存储器容量：512 K位

• 首次出厂数据：FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

SPI 串行EEPROM S-25CM01A (1M位)

描述：

• S-25CM01A系列是高速、低消耗电流、宽工作电压范围的SPI串行E2PROM。

• 容量为1 M位，构成是131072字×8位。可进行页写入、顺序读出。

特点：

• 工作电压范围

  读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

  写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作频率：10.0 MHz（ Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V）

• 写入时间：5.0 ms ( 最大值 )

• 支持SPI模式（ 0, 0 ）&（ 1, 1 ）

• 页写入功能：256字节 / 页

• 顺序读出功能

• 写入保护功能：软件、硬件

• 保护领域：25%, 50%, 100%

• 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

• 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

• 电源电压低时的禁止写入功能

• CMOS施密特输入（ CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

• 重写次数：106次 / 组（ Ta = ＋25°C时）

• 数据保存期：100年（ Ta = ＋25°C时）

• 存储器容量：1 M位

• 首次出厂数据：FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素